场效应管作业原理

场效应管作业原理
　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即大都载流子和反极性的少量载流子参加导电,因而称为双极型晶体管,而FET仅是由大都载流子参加导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它归于电压操控型半导体器材，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态规模大、易于集成、没有二次击穿现象、安全作业区域宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强壮竞争者。
1、场效应管的分类
　　场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极彻底绝缘而得名。现在在绝缘栅型场效应管中，使用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚面世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
　　按沟道半导体资料的不同，结型和绝缘栅型又分n沟道和P沟道两种。若按导电方法来区分，场效应管又可分红耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。