IGBT真实BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下，添加一个P+层发射极而行程pn，如图1-31所示，就构成IGBT。
IGBT根本结构及电路图
IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下，增加一个P+层发射极而行程pn，如图1-31所示，就构成IGBT。
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