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功率MOSFET常见的几种电流感知办法介绍

功率MOSFET常见的几种电流感知方法介绍-20世纪70年代出现了世界性的能源危机,电力电子技术实现对电能的高效能变换和控制,其发展为节约能源做出了巨大贡献。在电能传输与转换(包括绿色电源产品)中,如何减少能源损耗已成为很重要的研究方向。80年代,新型功率MOS器件和以其为基础的灵巧功率集成电路(Smart Power Integrated Circuit,SPIC)随着微电子技术的进步迅速发展起来,SPIC把控制集成电路与功率MOS器件做在同一颗芯片上,具有低成本,高效率,高可靠性等优点,Baliga曾提出SPIC的发展将会引起第二次电子革命。

1 导言

20世纪70年代呈现了世界性的动力危机,电力电子技术完成对电能的高效能改换和操控,其开展为节约动力做出了巨大贡献。在电能传输与转化(包含绿色电源产品)中,怎么削减动力损耗已成为很重要的研讨方向。80年代,新式功率MOS器材和以其为根底的灵活功率集成电路(Smart Power Integrated Circuit,SPIC)跟着微电子技术的前进敏捷开展起来,SPIC把操控集成电路与功率MOS器材做在同一颗芯片上,具有低本钱,高效率,高可靠性等长处,Baliga曾提出SPIC的开展将会引起第2次电子革新。

SPIC集操控逻辑、维护电路、功率器材于一体,如图1所示,在许多范畴如电机驱动器,电子镇流器,DC-DC转化器,功率因数校正器,开关电源等都有运用,并表现出了显着的优势。

功率MOSFET常见的几种电流感知办法介绍

因为维护电路集成于器材内,能够大大提高SPIC的可靠性。其间,功率器材的过流维护是非常重要一部分。一般功率器材的电流检测有以下几种办法:

在输出回路中串接电阻此办法长处是电流检测精确,可是因为输出电流很大,则在检测电流上有很大的功率损耗。

RDS检测 此办法运用MOS器材导通时作业于线性区,能够当作有源电阻。此办法虽能够内部集成,可是因为RDS随作业条件和外界环境条件(如温度等)的改变而有很大的检测差错。

在输出回路中参加互感线圈 尽管比串联电阻削减了功率损耗,但也是本钱很高的一种办法。

SenseFET的办法 SenseFET感知电流办法的思维来源于电流镜。比较其他办法有许多优势,如可彻底集成,损耗功耗小,相对精确等,是SPIC中较常运用的办法。

2 SenseFET办法检测电流的作业原理

用SenseFET进行电流检测,便是用SenseFET与功率器材主体(以下称Main FET)并联,图2为此办法的示意图,图中Kelvin线表明考虑了电路中的电流流过金属线形成的电压差的影响[5]。一般SenseFET的宽度远小于MainFET的栅宽,份额越小,功耗越小,可是电流检测精确度也会下降,因而要在功耗和精确度之间取适宜的值,一般取n=1:1 500,功率MOS是许多单元并联构成,电流彻底依照单元数多少来分配,假如假定Vsense很小,能够疏忽其对SenseFET源极电位S’与Main FET的源极S的电位差,那么在SenseFET上流过的电流可近似为功率器材电流的1/n,用此办法进行电流检测的过流维护电路[6]如图3所示。

图3中Rsense上得到的反映电流改变的电压Vsense,通过扩大得到电压V,再与基准电压进行比较,假如电流超越额定值,维护电路将输出维护信号Protect signal来关断功率器材。

3 影响电流检测精确性的原因剖析

从以上剖析可知,电流感知的精确度直接影响过流维护的输出是否会有误操作,那么怎样才能精确地检测功率器材的电流呢?下面将对或许引起电流感知差错的要素进行具体的剖析,使规划工程师在设计时考虑怎么下降这样要素对电流检测的影响,然后得到愈加精确的电流检测电路。

在功率器材的作业进程中,从静态和动态2方面来剖析影响电流检测精确性的原因,静态作业时,主要有以下几个方面:

(1)源极连线电阻和PAD电阻的不同,也便是MainFET的大电流流过金属线发生的压降与SenseFET不同形成的差错,此处可用Kelvin连线下降该差错。

(2)电流份额因子n的改变,假如不能疏忽Rsense的巨细,那么SenseFET源极电位S’与Main FET的源极S的电位差将使份额因子n’变大[7],见图2所示,作业在线性区的SenseFET电阻见公式(1):

RS=L/WμCOS(VGS-VT) (1)

因为Rsense的参加,n’改变为公式(2)所示,比n有所增加。

(3)温度改变引起的电流检测的差错:因为温度的改变,带来的阈值电压以及Ron改变,然后影响了电流检测的精确性。

功率MOSFET动态作业[6]时,考虑:

(1)功率管作业区从饱满区到线性区改变带来的Ron改变,改变了电流份额因子。当栅压从低到高时,功率管导通,其漏极高电平降为低电平,将从饱满区过渡为线性区。在饱满区,电流比即为SenseFET和MainFET的栅宽之比;在彻底导通的状况,电流比则由SenseFET和MaiFET导通电阻决议。

(2)衬偏效应:因为SenseFET源极电位S’为检测电流和Rsense的乘积,若检测电流为周期改变的正弦半波,则源极电位S’与衬底电位之间也随时刻有个改变,则带来SenseFET的衬偏效应,使电流份额发生差错。

(3)连线和封装在高频作业时互感的影响。

图4中看到因为MainFET与SenseFET引线单元摆放之间将发生1:1的互感器,则在一侧发生的di/dt因为耦合效果就会在电流检测中发生很大的差错[6]。

4 评论与总结

归纳以上的剖析,对功率MOSFET进行精确的电流检测是保证及时有效地过流维护的必要条件,本文介绍了功率MOSFET的电流感知的几种办法,并要点剖析了灵活功率集成电路中最常用的SenseFET办法。该办法有许多长处,彻底集成于芯片内,功耗小、高可靠性。考虑检测电流的改变,检测办法结构的影响,以及功率MOSFET作业特色等要素,本文剖析了影响电流检测精确性的差错源,能够为规划高性能的电流检测进程供给参阅。

责任编辑:gt

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