晶体管的根本常识
一、晶体管的命名
彩显中运用的晶体管首要有晶体二极管、晶体三极管、可控硅和场效应管等等，其间最常用的是三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表明，二极管以D表明。
按制作资料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。大都国产管用xxx表明，其间每一位都有特定意义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表资料和极性。A代表PNP型锗资料；B代表NPN型锗资料；C为PNP型硅资料；D为NPN型硅资料。第三位表明用处，其间X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最终面的数字是产品的序号，序号不同，各种目标略有差异。留意，二极管同三极管第二位意义根本相同，而第三位则意义不同。关于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的比如，具体来说便是PNP型锗资料低频小功率管。关于进口的三极管来说，就各有不同，要在实践运用过程中留意堆集资料。
常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位意义同国产管的第三位根本相同。
晶体管是内部含有两个PN结，外部一般为三个引出电极的半导体器材。它对电信号有扩大和开关等效果，运用非常广泛。
二、晶体管的品种
晶体管有多种分类办法。
（一）按半导体资料和极性分类
按晶体管运用的半导体资料可分为硅资料晶体管和锗资料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。
（二）按结构及制作工艺分类
晶体管按其结构及制作工艺可分为分散型晶体管、合金型晶体管平和面型晶体管。
（三）按电流容量分类
晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。
（四）按作业频率分类
晶体管按作业频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。
（五）按封装结构分类
晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、外表封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。
（六）按功用和用处分类
晶体管按功用和用处可分为低噪声扩大晶体管、中高频扩大晶体管、低频扩大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多品种型。
三、晶体管的首要参数
晶体管的首要参数有电流扩大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。
（一）电流扩大系数
电流扩大系数也称电流扩大倍数，用来表明晶体管扩大才能。
依据晶体管作业状况的不同，电流扩大系数又分为直流电流扩大系数和沟通电流扩大系数。
1．直流电流扩大系数 直流电流扩大系数也称静态电流扩大系数或直流扩大倍数，是指在静态无改变信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表明。
2．沟通电流扩大系数 沟通电流扩大系数也称动态电流扩大系数或沟通扩大倍数，是指在沟通状况下，晶体管集电极电流改变量△IC与基极电流改变量△IB的比值，一般用hfe或β表明。
hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较挨近，在高频时有一些差异。
（二）耗散功率
耗散功率也称集电极最大答应耗散功率PCM，是指晶体管参数改变不超越规则答应值时的最大集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的最高答应结温文集电极最大电流有密切关系。晶体管在运用时，其实践功耗不答应超越PCM值，否则会形成晶体管因过载而损坏。
一般将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
（三）频率特性
晶体管的电流扩大系数与作业频率有关。若晶体管超越了其作业频率规模，则会呈现扩大才能削弱乃至失掉扩大效果。
晶体管的频率特性参数首要包含特征频率fT和最高振动频率fM等。
1．特征频率fT 晶体管的作业频率超越截止频率fβ或fα时，其电流扩大系数β值将跟着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的作业频率。
一般将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。
2．最高振动频率fM 最高振动频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
一般，高频晶体管的最高振动频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。
（四）集电极最大电流ICM
集电极最大电流是指晶体管集电极所答应经过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超越ICM时，晶体管的β值等参数将发作明显改变，影响其正常作业，乃至还会损坏。
（五）最大反向电压
最大反向电压是指晶体管在作业时所答应施加的最高作业电压。它包含集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。
1．集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大答应反向电压，一般用VCEO或BVCEO表明。
2．集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大答应反向电压，用VCBO或BVCBO表明。
3．发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大答应反向电压，用VEBO或BVEBO表明。
（六）反向电流
晶体管的反向电流包含其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。
1．集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较灵敏，该值越小，阐明晶体管的温度特性越好。
2．集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，阐明晶体管的功能越好。
