电路如图所示。其中心器材ＩＣ１是TOP221，三端高压开关集成电路，其内部集成有电压型脉宽调制振荡器、基准电压源、差错放大器、高压发动限流电阻以及过热等维护电路。此外在芯片上还集成有耐压７００Ｖ的Ｎ沟道功率场效应晶体管，其作业频率可达１００ｋＨｚ，驱动功耗小，最大占空比达７０％，功率可达９０％。所以，该开关电源外围元器材少，可靠性高。ＩＣ１的漏极Ｄ接高压，源极Ｓ接零电位，操控极Ｃ与零电位之直接发动电容Ｃ３。一般该电容值为４７μＦ。操控极Ｃ的输入电流大小将改动脉宽调制的占空比，当输入电流添加时占空比将减小。
操控电流来自高频开关变压器Ｔ的一个二次绕组３、４，Ｔ的铁氧体磁心体积仅１９ｍｍ×１７ｍｍ×５ｍｍ，ＶＤ５按捺反峰尖脉冲。ＩＣ１的外围电路的作业进程很简单：当输出电压升高时，ＩＣ１的Ｃ极输入电流也会添加，输出脉冲占空比将减小，从而使输出电压下降。
