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LED芯片使用过程中什么让你“卡壳”?

1正向电压降低,暗光A:一种是电极与发光材料为欧姆接触,但接触电阻大,主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。B:一种是电极

  1.正向电压下降,暗光

  A:一种是电极与发光资料为欧姆触摸,但触摸电阻大,首要由资料衬底低浓度或电极残缺所形成的。

  B:一种是电极与资料为非欧姆触摸,首要发生在芯片电极制备进程中蒸腾第一层电极时的挤压印或夹印,散布方位。

  别的封装进程中也或许形成正向压下降,首要原因有银胶固化不充分,支架或芯片电极沾污等形成触摸电阻大或触摸电阻不稳定。 正向压下降的芯片在固定电压测验时,经过芯片的电流小,然后体现暗点,还有一种暗光现象是芯片自身发光功率低,正向压降正常。

  2.难压焊:(首要有打不粘,电极掉落,打穿电极)

  A:打不粘:首要因为电极外表氧化或有胶

  B:有与发光资料触摸不牢和加厚焊线层不牢,其间以加厚层掉落为主。

  C:打穿电极:一般与芯片资料有关,资料脆且强度不高的资料易打穿电极,一般GAALAS资料(如高红,红外芯片)较GAP资料易打穿电极.

  D:压焊调试应从焊接温度,超声波功率,超声时刻,压力,金球巨细,支架定位等进行调整。

  3.发光色彩差异:

  A:同一张芯片发光色彩有显着差异首要是因为外延片资料问题,ALGAINP四元素资料选用量子结构很薄,成长是很难确保各区域组分共同。(组分决议禁带宽度,禁带宽度决议波长)。

  B:GAP黄绿芯片,发光波长不会有很大误差,可是因为人眼对这个波段色彩灵敏,很简单查出偏黄,偏绿。因为波长是外延片资料决议的,区域越小,呈现色彩误差概念越小,故在M/T作业中有附近选取法。

  C:GAP赤色芯片有的发光色彩是偏橙黄 色,这是因为其发光机理为直接跃进。受杂质浓度影响,电流密度加大时,易发生杂质能级偏移和发光饱满,发光是开端变为橙黄色。

  4.闸流体效应:

  A:是发光二极管在正常电压下无法导通,当电压加高到必定程度,电流发生骤变。

  B:发生闸流体现象原因是发光资料外延片成长时呈现了反向夹层,有此现象的LED在IF=20MA时测验的正向压降有躲藏性,在运用进程是出于南北极电压不行大,体现为不亮,可用测验信息仪器从晶体管图示仪测验曲线,也能够经过小电流IF=10UA下的正向压降来发现,小电流下的正向压降显着偏大,则或许是该问题所形成的。

  5.反向漏电:

  A:原因:外延资料,芯片制造,器材封装,测验一般5V下反向漏电流为10UA,也能够固定反向电流下测验反向电压。

  B:不同类型的LED反向特性相差大:普绿,普黄芯片反向击穿可到达一百多伏,而普芯片则在十几二十伏之间。

  C:外延形成的反向漏电首要由PN结内部结构缺点所形成的,芯片制造进程中旁边面腐蚀不行或有银胶丝沾附在测面,严禁用有机溶液分配银胶。以避免银胶经过毛细现象爬到结区。

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