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TMR地道磁阻传感器 详解TMR传感器的原理和特性

TMR隧道磁阻传感器 详解TMR传感器的原理和特性-磁传感器电阻 在美国拉斯维加斯举办的全球最大电子产品展览会2018年消费类电子产品展销会(CES 2018)的 TDK和AKM的展台上发布了一款高精度3轴磁力计。

在美国拉斯维加斯举行的全球最大电子产品博览会“2018年消费类电子产品展销会(CES 2018)”的 TDK和AKM的展台上发布了一款高精度3轴磁力计。

该磁力计将TDK公司开发的高度活络的地道磁阻(TMR)元件与AKM公司规划的先进电子罗盘ASIC组合到一个小型LGA 11针封装内。该新式TMR磁力计附在一块芯片上,微型尺度仅为1.6毫米 x 1.6毫米x 0.6毫米,而其特色是具有业界最低的RMS噪音,仅为40 nT-rms,且在在输出数据速率为100Hz时, 电流耗费亦十分低,仅为40 µA。

TMR地道磁阻传感器 详解TMR传感器的原理和特性

因为具有10 nT/LSB(最低有用位)的高活络度,该磁传感器可以十分精确地检测磁场内细微改变,然后可以在地球磁场或磁场发生器的协助下高度精确地勘探方位和方位。这些绝无仅有的特色使得TMR磁力计适用于紧凑型电子设备上,例如:智能手机、平板电脑、游戏机控制器和各式各样的可穿戴设备,以及需求方位和方位精度高的其他使用,例如:虚拟实际、增强实际或混合实际(VR、AR和MR)或室内导航。

磁传感器

磁传感器是品种繁复的传感器中的一种,它可以感知与磁现象有关的物理量的改变,并将其转变为电信号进行检测,然后直接或间接地勘探磁场巨细、方向、位移、视点、电流等物理信息,广泛使用于信息、电机、电力电子、能源管理、轿车、磁信息读写、工业自动控制及生物医学等范畴。

跟着科技进步和信息技能的开展,人们对磁传感器的尺度、活络度、热稳定性及功耗等提出了越来越高的要求。

广泛使用的磁传感器首要是根据电磁感应原理、霍尔效应及磁电阻效应等。其间根据磁电阻效应的传感器因为其高活络度、小体积、低功耗及易

集成等特色正在替代传统的磁传感器。

现在市场上首要的磁传感器芯片是根据霍尔效应、各向异性磁电阻(AMR)和巨磁电阻(GMR)效应而开发的,而因为TMR磁传感器芯片具有的小型化、低成本、低功耗、高度集成、高呼应频率和高活络度特性,使其将会成为未来竞赛的制高点。

TMR地道磁阻传感器

干流的磁传感器仍然是半导体霍尔器材,但其自身存在的活络度低、简单受应力和温度影响、呼应频率低以及功耗大的缺陷,使其主导地位正不断遭到磁电阻传感器的冲击。

国外薄膜磁电阻传感器(AMR/Sl,in-Valve/TMR)技能现已老练并已开端大规模量产。TMR传感器现在首要使用在硬盘磁头和磁性内存范畴,代表厂商:Seagate/WD/TDK;AMR器材代表厂商有:HoneyWell/NEC/日本旭化成/西门子;美国NVE公司小规模量产GMR传感器和少数的Spin—Valve传感器。

TMR磁传感器芯片的研制和出产依赖于纳米薄膜及纳米级电子元器材的出产设备、出产工艺与技能以及芯片的规划等多个环节。TMR技能首要把握在国外的硬盘制作企业手中,而磁传感器制作企业遍及缺少n很芯片制各技能、人才和出产经历。

在全世界范围内,国际上也只要美国的两家公司可以小批量出产TIvIR磁传感器芯片,包含美国的NVE和Micro MagneTIcs,而国内受设备和人才的约束,直到2010年,才逐步添补这一范畴的空白。

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