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大功率三极管的符号大全及意义介绍

本站为您提供的大功率三极管的符号大全及含义介绍,三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。

  本文首要是关于大功率三极管的相关介绍,并侧重对大功率三极管的符号及其意义进行了翔实的论述。

  大功率三极管的符号大全及意义介绍

  大功率三极管的符号大全及意义介绍

  1、按功率分:小功率:功率在1W以下中功率:1-10W;大功率:10W以上。2、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种操控电流的半导体器材·其效果是把弱小信号扩大成起伏值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体根本元器材之一,具有电流扩大效果,是电子电路的中心元件。三极管是在一块半导体基片上制造两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分红三部分,中心部分是基区,两边部分是发射区和集电区,摆放方法有PNP和NPN两种。

  三极管的分类

  a;按频率分:高频管和低频管

  b;按功率分:小功率管,中功率管和的功率管

  c;按组织分:PNP管和NPN管

  d;按原料分:硅管和锗管

  e;按功用分:开关管和扩大

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  三极管的首要技术目标

        电流扩大系数β

  电流扩大系数是电流扩大倍数,用来标明三极管的扩大才能。依据三极管作业状况不同,电流扩大系数又分为直流扩大系数和沟通扩大系数。

  直流扩大系数是指在静态无输人改变信号时,三极管集电极电流IC和基极电流IB的比值,故又称为直流扩大倍数或静态扩大系数,一般用hFE或β标明。

  沟通电流扩大系数也称动态电流扩大系数或沟通扩大倍数,是指在沟通状况下,三极管集电极电流改变量与基极电流改变量的比值,一般用β′标明。β′是反映三极管扩大才能的重要目标。

  虽然β和β′的意义不同,但在小信号下β≈β′,因此在核算时两者取相同值。

  2.耗散功率PCM

  耗散功率也称集电极最大答应耗散功率PCM,是指三极管参数改变不超越规则答应值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与三极管的最高答应结温文集电极最大电流有密切联系。运用三极管时,三极管实践功耗不答应超越PCM,否则会构成三极管因过载而损坏。

  3.频率特性

  三极管的电流扩大系数与作业频率有关,假如三极管超越了作业频率规模,则会构成扩大才能下降乃至失掉扩大效果。

  三极管的频率特性参数包含特征频率fT和最高振动频率fM。

  (1)特征频率fT:三极管的作业频率超越截止频率时,其电流扩大系数β将跟着频率的升高而下降。特征频率是指β降为1时三极管的作业频率。

  (2)最高振动频率fM:最高振动频率是指三极管的功率增益降为1时所对应的频率。

  4.集电极最大电流ICM

  集电极最大电流是指三极管集电极所答应经过的最大电流。集电极电流IC上升会导致三极管的β下降,当β下降到正常值的2/3时,集电极电流即为ICM。

  5.最大反向电压

  最大反向电压指三极管在作业时所答应加的最高作业电压。最大反向电压包含集电极一发射极反向击穿电压UCEO、集电极一基极反向击穿电压UCBO及发射极—基极反向击穿电压UEBO.

  6.反向电流

  三极管的反向电流包含集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向电流ICEO.

  三极管功能的简易丈量

  (1) 用万用表电阻档测ICEO和

  基极开路,万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e(PNP管相反),此刻c、e间电阻值大则标明ICEO小,电阻值小则标明ICEO大。 用手指替代基极电阻Rb,用上法测c、e间电阻,若阻值比基极开路时小得多则标明 b值大。
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  (2) 用万用表hFE档测 b

  有的万用表有hFE档,按表上规则的极型刺进三极管即可测得电流扩大系数 b,若 b 很小或为零,标明三极管己损坏,可用电阻档别离测两个PN结,承认是否有击穿或断路。

  半导体三极管的选用

  选用晶体管一要契合设备及电路的要求,二要契合节省的准则。依据用处的不同,一般应考虑以下几个要素:作业频率、集电极电流、耗散功率、电流扩大系数、反向击穿电压、安稳性及饱满压降等。这些要素又具有彼此限制的联系,在选管时应捉住首要矛盾,统筹非有必要要素。 低频管的特征频率fT一般在2.5MHz以下,而高频管的fT都从几十兆赫到几百兆赫乃至更高。选管时应使fT为作业频率的3~10倍。准则上讲,高频管能够代换低频管,可是高频管的功率一般都比较小,动态规模窄,在代换时应留意功率条件。

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  一般期望b选大一些,但也不是越大越好。b太高了简单引起自激振动,况且一般b高的管子作业多不安稳,受温度影响大。一般b多选40~100之间,但低噪声高b值的管子(如1815、9011~9015等),b值达数百时温度安稳性仍较好。别的,对整个电路来说还应该从各级的合作来挑选b。例如前级用b高的,后级就能够用b较低的管子;反之,前级用 b 较低的,后级就能够用b较高的管子。

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  集电极-发射极反向击穿电压UCEO应选得大于电源电压。穿透电流越小,对温度的安稳性越好。一般硅管的安稳性比锗管好得多,但一般硅管的饱满压降较锗管为大,在某些电路中会影响电路的功能,应依据电路的具体情况选用,选用晶体管的耗散功率时应依据不同电路的要求留有必定的余量。 对高频扩大、中频扩大、振动器等电路用的晶体管,应选用特征频率fT高、极间电容较小的晶体管,以确保在高频情况下仍有较高的功率增益和安稳性。

  半导体光敏器材——光敏三极管

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  光敏三极管在原理上相似于晶体管,仅仅它的集电结为光敏二极管结构。它的等效电路见图T313。因为基极电流可由光敏二极管供给,故一般没有基极外引线(有基极外引线的产品便于调整静态作业点)。 如在光敏三极管集电极c和发射极e之间加电压,使集电结反偏,则在无光照时,c、e 间只要漏电流ICEO,称为暗电流,巨细约为0.3 μA。有光照时将发生光电流IB,一起IB被“扩大”构成集电极电流IC,巨细在几百微安到几毫安之间。 光敏三极管的输出特性和晶体管相似,仅仅用入射光的照度来替代晶体管输出特性曲线中的IB。光敏三极管制成达林顿方式时,可获得很大的输出电流而能直接驱动某些继电器。 光敏三极管的缺陷是呼应速度(约5 ~ 10 ms)比光敏二极管(几百毫微秒)慢,转化线性差,在低照度或高照度时,光电流扩大系数 值变小。

  运用光敏三极管时,除了管子实践运行时的电参数不能超限外,还应考虑入射光的强度是否恰当,其光谱规模是否适宜。过强的入射光将使管芯的温度上升,影响作业的安稳性,不合光谱的入射光,将得不到所期望的光电流。例如:硅光敏三极管的光谱呼应规模为0.4 ~ 1.1 mm波长的光波,若用荧光灯作光源,成果就很不抱负。 别的,在实践选用光敏三极管时,应留意按参数要求挑选管型。如要求灵敏度高,可选用达林顿型光敏三极管;如要求呼应时刻快,对温度敏感性小,就不选用光敏三极管而选用光敏二极管。勘探暗光必定要挑选暗电流小的管子,一起可考虑有基极引出线的光敏三极管,经过偏置获得适宜的作业点,进步光电流的扩大系数。例如,勘探10-3勒克斯的弱光,光敏三极管的暗电流有必要小于0.1 nA。光敏三极管的根本使用电路见图T314 ,几种国产光敏三极管的参数见表B317。

  大功率三极管的符号大全及意义介绍

  表B317 部分国产光敏三极管的参数

  大功率三极管的符号大全及意义介绍

  结语

  关于大功率三极管的符号及其意义的相关介绍就到这了,如有不足之处欢迎纠正。

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