DS1210非易失控制器芯片是CMOS电路，处理了转换成非易失性内存的CMOS RAM中的使用问题。输入电源监测忍受条件。当检测到这样的情况下，芯片使能按捺完成写保护和电池供给不间断电源的RAM接通。特别的电路选用低走漏CMOS能供给准确的电压检测，在极低的电池消耗量的进程。8引脚DIP封装，坚持PC板房地产需求到最低极限。DS1210非易失控制器芯片的CMOS记忆体和电池相结合，能够完成非易失性RAM操作。
要害特性
皈依的CMOS公羊到非易失性存储器
无条件写保护当V CC是容错
主动切换到电池电源毛病发作时
节约空间的8引脚PDIP或16引脚SO封装
功耗小于电池电流为100nA
测验电池的情况上电
供给冗余电池
可选5%或10%的电源毛病检测
低正向压降的V CC交换机
可选的工业(N)的温度规模为-40°C至+85°C间
