什么是FRAM?

FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器选用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特色，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防篡改方面具有优势。

关于铁电质

下面的图表解说了PZT晶体结构，这种结构一般用作典型的铁电质资料。在点阵中具有锆和钛，作为两个安稳点。它们能够依据外部电场在两个点之间移动。一旦方位设定，即便在呈现电场，它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极组织了一个电容器。那么，电容器划分了底部电极电压和极化，逾越了磁滞回线。数据以“1”或“0”的方式存储。

PZT晶体结构和FRAM作业原理

1、 当加置电场时就会发生极化。（锆/钛离子在晶体中向上或向下移动）

2、 即便在不加置电场的情况下，也能坚持电极。

3、 两个安稳的状况以“0”或“1”的方式存储。

存储器分类中的FRAM

* 非易失性：即便没有上电，也能够保存所存储的信息。

优势

与传统存储器比较，FRAM具有下列优势：

非易失性

●   即便没有上电，也能够保存所存储的信息。

●   与SRAM比较，无需后备电池（环保产品）

更高速度写入

●   像SRAM相同，可掩盖写入

●   不要求改写指令

●   关于擦/写操作，无等待时刻

●   写入循环时刻 =读取循环时刻

●   写入时刻：E2PROM的1/30,000

具有更高的读写耐久性

●   保证最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力

●   耐久性：超越100万次的 E2PROM

具有更低的功耗

●   不要求选用充电泵电路 

●   功耗：低于1/400的E2PROM

表1. FRAM和其它器材间标准差异的比较表

表1. 与其它存储器产品比较，FRAM的特性

*1) T=晶体管. C=电容器 

*2) 256Kb独立的FRAM存储器的技能标准 

*3) 读写操作的总循环

富士通FRAM集成型产品

●   独立存储器（I²C/SPI/并行接口产品）

富士通半导体供给了独立的存储器，它具有FRAM的优势，包含非易失性、高速读写、低功耗和更高的读写耐久性。你能够将其用于各种使用，如移动装置，OA设备，数字电器和银行终端等。

●   独立存储器（I²C/SPI/并行接口产品）

●   适用于RFID的LSI

●   验证 IC

●   使用

●   定制 LSI

●   技能支持