自从进入市场以来，CMOS 单电源放大器就给全球单电源体系规划人员带来了极大优势。影响双电源放大器总谐波失真 + 噪声 （THD+N） 特性的主要要素是输入噪声与输出级穿插失真。单电源放大器的 THD+N 功能也源自放大器的输入输出级。可是，输入级对 THD+N 的影响可让单电源放大器的这一标准特点变得复杂。
有几种单电源放大器拓扑可在整个电源中接纳输入信号。在互补型差分输入级拓扑中，当放大器输入挨近负轨时，PMOS 晶体管导通，NMOS 晶体管关断（图 1）。当放大器输入挨近正轨时，NMOS 晶体管导通，PMOS 晶体管关断。
这种规划拓扑在整个共模输入范围内会对放大器失调电压发生极大的改变。在挨近接地的输入区域，PMOS 晶体管的失调差错占主导地位。在挨近正电源的区域，NMOS 晶体管对成为主导失调差错。当放大器输入穿过这两个区域时，这两个对都会导通。成果便是输入失调电压在两级之间改变。当 PMOS 和 NMOS 晶体管都导通时，共模电压区域大约为 400mV。这种穿插失真现象会影响放大器的 THD。假如将互补型输入放大器选用非反相装备进行装备，输入穿插失真就会影响放大器的 THD+N 功能。例如，在图 2 中，假如不运用输入转化，THD+N 为 0.0006%。假如 THD+N 测验包括放大器的输入穿插失真，THD+N 为 0.004%。您可经过运用反相装备来防止这类放大器的穿插失真。
另一个发生 THD+N 的主要要素可能是运算放大器的输出级。单电源放大器的输出级一般具有一个 AB 拓扑。跟着输出信号从一个电轨扫过另一个电轨，输出级也会呈现类似于输入级的穿插失真，此刻输出级在晶体管间切换。一般来说，经过输出级的较大静态电流可下降放大器的 THD。放大器的输入噪声是形成 THD+N 的另一个要素。高输入噪声、高闭环增益或这两者的存在，都会进步放大器的全体 THD+N 水平。
为了优化互补型输入单电源放大器的 THD+N 功能，可将放大器放在反相增益装备中，并坚持低闭环增益。假如体系需要将放大器装备为非反相缓冲器，那就更适合运用具有单差分输入级和充电泵的放大器。
