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浅析一种非均匀分布式放大器拓扑结构设计

浅析一种非均匀分布式放大器拓扑结构设计-功率放大器是构建新一代通信系统的核心组件,这类通信系统需要超宽的带宽以支持高数据速率。为了设计一款高效的功率放大器,晶体管必须工作于开关模式之下,并且/或者具有反射端接谐波。然而,为了能在一个以上倍频程带宽下正常工作,在较低频率下,谐波端应在带内。此外,Bode-Fano带宽理论认为,对于给定的复合负载,可实现带宽存在一个基本限值,该限值会降低目标负载阻抗,进一步偏离高效条件。

功率放大器是构建新一代通讯体系的中心组件,这类通讯体系需求超宽的带宽以支撑高数据速率。为了规划一款高效的功率放大器晶体管有必要作业于开关形式之下,而且/或许具有反射端接谐波。可是,为了能在一个以上倍频程带宽下正常作业,在较低频率下,谐波端应在带内。此外,Bode-Fano带宽理论以为,关于给定的复合负载,可完成带宽存在一个根本限值,该限值会下降方针负载阻抗,进一步违背高效条件。

在本文中,咱们将比较和比照两种不同的宽带高效功率放大器规划技能。一种规划选用一种非均匀分布式放大器拓扑结构,彻底集成于一个MMIC之中,其输入和输出匹配至50 Ω。另一种规划选用混合式规划技能,在封装中集成了桥接-T输入匹配MMIC。本文将首要扼要描绘电路制作工艺,然后逐个展现和评论各种规划拓扑结构。

器材技能和工艺

这儿运用的AlGaN/GaN HEMT器材根据TriQuint的0.25 μmGaN工艺TQGaN25,选用100mm SiC晶圆制成。这是一种TriQuint推出的大规模制作技能。在PAE匹配条件下,一个四指100μm栅极宽度晶体管(偏置电压:Vd=40V,Id=100 mA/mm)的典型功率密度为5.5W/mm,10GHz时的PAE为60%。

分布式放大器规划

A. 电路规划

为了完成最高的功率和功率,咱们挑选了非均匀分布式功率放大器(NDPA)拓扑结构。NDPA不是以50Ω的阻抗端接漏极线路,而是选用了突变传输线。为每条传输线路挑选特定的宽度,以便为每个单元供给最佳负载。在某些情况下,各个单元的器材尺度也选用突变规划。

因为方针作业频率为30MHz至2.7GHz,所以,咱们挑选了5-单元规划,器材总周长为2.4mm,以完成功率、增益、带宽和芯片尺度的平衡。随后,咱们核算出了各单元的器材尺度和传输线路阻抗。成果如表1所示。榜首个单元的尺度为1.2mm,其意图是完成功率和功率的最大化。其他单元尺度持平,均为0.3mm。请注意,在表1中,有一列为各个单元的漏电流(Id)。该电流标明器材的最大驱动电流,设定了输出走线的最小宽度。

浅析一种非均匀分布式放大器拓扑结构规划

MMIC制品如图1所示。芯片的终究尺度为2.4mm×1.8mm。为了支撑最低30MHz的作业频率,咱们挑选了片外偏置选项。这种规划的一个特点是在榜首单元输出端运用了线圈。请参阅前面的表1,处理450mA电流所需的最小宽度为30μm。可是,在100μm厚的SiC基板上,宽30μm线路的典型阻抗只要76Ω,离最佳负载100Ω还有很大的距离。可是,线圈实践上会经过互耦合的办法增大线路的有用阻抗,仿真条件下,该线路的阻抗为105Ω。这样就能够完成高效运转。

B. MMIC丈量值

咱们把MMIC制品焊接在一块厚40密耳的CuMo承板上,一起把RO4003板装在MMIC周围,以便进行评价。咱们对电路板上的50?走线进行了去嵌入处理,使丈量参阅平面坐落焊线的结尾。如图2所示,在30MHz至2.7GHz范围内,典型增益为20dB,而且在相同频率范围内,输入和输出回波损耗为10dB或更低。

浅析一种非均匀分布式放大器拓扑结构规划

浅析一种非均匀分布式放大器拓扑结构规划

大信号丈量值标明,成果杰出。图3所示为MMIC在整个频率范围内,在27dBm的稳定输入功率(这相当于约5dB的紧缩值)下的输出功率和PAE。当漏极电压为30V时,MMIC在不超越2.5GHz的整个频率范围内可发生大于10W的输出功率,在不超越2.7GHz的范围内,可发生8W或以上的输出功率(功率密度超越4 W/mm),而且在整个频段,PAE均优于52%。在500MHz以下,MMIC可完成近70%的PAE。如此高的PAE源于榜首个单元加载了高阻抗。请注意,这儿展现的功率和PAE丈量值只是在基频输出功率条件下得到的成果,不得用于核算功耗。要核算功耗,咱们有必要运用总功率,包含谐波下的一切功率。

混合分立式功率放大器规划

电路规划

咱们前面展现的分布式放大器技能对MMIC作用显着。可是,关于混合分立式规划来说,要完成多级是好不容易的。咱们挑选选用一种桥接T拓扑结构,将单个晶体管的输入端匹配至50Ω。咱们挑选了适宜的晶体管的尺度,以便输出端的50Ω端口与其方针负载线无缺匹配,因而,放大器输出端能够不匹配。咱们挑选了一款周长为1.24mm的晶体管。别的,凭借周长为2.48mm的晶体管也可完成不错的负载线,其一般具有更高的功率和更低的功率密度。要进一步优化功能,能够在电路板级进行更多匹配。MMIC制品如图4所示。芯片的终究尺度为1.277mm ×1.06mm。用周长为2.48mm的晶体管(本文中未评论)打造的另一款芯片的尺度为1.277mm ×1.305mm(大23%)。

浅析一种非均匀分布式放大器拓扑结构规划

桥接T拓扑结构是Zobel网络的修改版,能够在输入端供给稳定阻抗。用于匹配晶体管输入端的拓扑结构如图4所示。该电路的匹配规划可在30MHz至2700MHz范围内供给杰出的回波损耗功能。桥接T匹配的不足之处在于,网络损耗较大。可是,在这些低频下,晶体管具有较大的增益,能够平衡掉这些损耗,从而使芯片在各种频率下均能无条件保持稳定。因而,关于该作业频率,桥接T是一种十分适宜的挑选,不会影响功能。

桥接T网络的低频功能在很大程度上取决于并联网络中的阻抗。为了在低频下完成实部阻抗,需求运用一个较大的电容。为此,咱们用一个焊盘衔接一个片外电容(见图4中的外部电容)。因为MMIC的输入端已匹配至50 Ω,因而,输入网络不需求进行其他匹配。此外,器材在尺度规划上已在输出端供给近50 Ω的负载线,因而,输出匹配网络只需求一个串联L并联C网络以保证高频功能,然后,在低频下供给50Ω的负载阻抗以保证宽带功能。输入和输出匹配网络都选用了宽带偏置网络,并布置在一块4“×3”的运用板上。

混合式放大器的丈量值

咱们在一块用Rogers 4350B制成的电路板上对终究器材进行了测验。50Ω匹配输入体现杰出,能在40MHz至2.7GHz的范围内完成10dB的回波损耗,在低至30MHz的频率范围内完成7dB的回波损耗(图5)。器材在低频下完成12dB的增益,在高频下完成17dB的增益。

在32V和脉冲条件下,放大器完成了5W的典型输出功率(或许,4W/mm的功率密度),在1至2.7GHz范围内完成45%的功率附加功率(图6)。咱们挑选了脉冲而非CW作业形式,因为评价板约束了总功耗。别的,咱们在1至2.7GHz范围内对数据进行了丈量,因为咱们无法在1GHz以下构建脉冲试验台。

评论

成果标明,两款放大器均能在30~2700 MHz范围内作业,二者具有相似的输出功率密度。彻底匹配的MMIC在器材尺度以及输出功率的挑选方面体现出较大的灵活性,但其价值也比较大。另一方面,咱们展现的混合式解决方案具有较为共同,器材尺度固定,因而对功能形成了约束;较小或大得多的晶体管都无法在整个带宽范围内获得杰出作用。可是,因为芯片尺度十分小(为MMIC的1/4,但功率仅少一半),因而其价值更能令人承受。别的,最多能够运用两倍周长的晶体管,可完成相似MMIC的功能,芯片尺度增幅也不大(23%),而且混合式解决方案可运用外部元件进行调整,以在特定频段范围内完成愈加优化的功能。可是,MMIC解决方案因为要处理的寄生电容较少,所以能够完成杰出的功能。归根到底,假如体系侧重于打造一种低本钱的解决方案,而且能够献身必定的功能,则混合式解决方案是更适宜的挑选。可是,假如体系要求以较高的价值供给特定的功能,则MMIC解决方案是更好的挑选。尽管如此,实践标明,两种规划技能都是宽带条件下的有用挑选。

浅析一种非均匀分布式放大器拓扑结构规划

定论

本文介绍了两种不同的放大器渠道,即全集成式MMIC和混合封装式放大器,两者均可在30 ~2700MHz范围内完成抢先的功能。其完成办法是在MMIC上运用行波技能,在混合式规划中,则是运用桥接T拓扑结构使晶体管匹配至50Ω。两种技能各有长处,在功能和本钱方面各有折衷。

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