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存储器分类汇总,DRAM/EPROM/NAND FLASH这些职业名词你真的知道吗?

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大

  RAM:由字面意思就可以了解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以总称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为咱们收拾的现在一切的存储器的差异。

  SRAM:静态随机存储器,便是它不需求改写电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时刻就要改写一次数据。可是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里边。像S3C2440的ARM9处理器里边就有4K的SRAM用来做CPU发动时用的。

  DRAM,动态随机存取存储器,需求不断的改写,才干保存数据。 并且是队伍地址复用的,许多都有页模式。

  SDRAM:同步动态随机存储器,像电脑的内存便是用的这种RAM叫DDR SDRAM。其集成度十分高,因为是动态的,所以必须有改写电路,每隔一段时刻必须得改写数据。其存储单元不是按线性摆放的,是分页的。一般的嵌入式产品里边的内存都是用的SDRAM。

  DDR SDRAM: 双通道同步动态RAM,需求改写,速度快,容量大。(现在电脑便是用的DDR的内存条都好几代了)

  ROM:只读存储器的总称。以下这几种赤色字体的都是归于ROM

  PROM:可编程只读存储器,只能写一次,写错了就得作废,现在用得很少了,如同那些本钱比较低的OPT单片机里边用的便是这种存储器吧。

  EPROM:可擦除可编程存储器,这东西也比较古老了,是EEPROM的前身,在芯片的上面有个窗口,经过紫外线的照射来擦除数据。十分之费事。

  EEPROM:电可擦除可编程只读存储器,比之EPROM就先进点了,可以用电来擦除里边对数据,也是现在用得比较多的存储器,比方24CXX系列的EEPROM。

  NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。NOR选用的并行接口,其特色读取的速度比之NAND高兴许多倍,其程序可以直接在NOR里边运转。可是它的擦除速度比较慢,集成度低,本钱高的。现在的NOR的容量一般在2M左右,一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有便是在ARM9的开发板上可以看见。

  而NAND呢,选用的是串行的接口,CPU从里边读取数据的速度很慢,所以一般用NAND做闪存的话就必须把NAND里边的数据先读到内存里边,然后CPU才干够履行。就跟电脑的硬盘样的。可是它的集成度很高,我的ARM9的开发板上面一块256M的NAND还没有一块2M的NOR的一半大,所以本钱很低。还有便是它的擦除速度也的NOR要快。要不然的话那就真的悲惨剧了,假设擦除一块2M的NOR要一分钟,假如NAND的擦除速度比NOR还要慢,那擦除一块256M的NAND不是要几个小时。NAND一般是用在那些要跑大型的操作体系的嵌入式产品上面,比方LINUX啊,WINCE啊。NOR可是可以跑,可以把LINUX操作体系取舍到2M以内,一个产品莫非只去跑体系吗?用户的应用程序呢!其实许多时分,一个嵌入式产品里边,操作体系占的存储空间仅仅一小部分,大部分都是给用户跑应用程序的。就像电脑,硬盘都是几百G,可是WINDOWNS操作体系所占的空间也不过几G罢了。

  DRAM、SDRAM和SRAM这几种电脑常用的内存的差异

  学习在于总结,由是乎抽点时刻总结了下。

  SRAM : 静态RAM,不必改写,速度可以十分快,像CPU内部的cache,都是静态RAM,缺陷是一个内存单元需求的晶体管数量多,因而价格昂贵,容量不大。

  DRAM: 动态RAM,需求改写,容量大。

  SDRAM :同步动态RAM,需求改写,速度较快,容量大。(曾经的电脑用的内存条)

  DDR SDRAM: 双通道同步动态RAM,需求改写,速度快,容量大。(现在电脑便是用的DDR的内存条都好几代了)

  详细解说一:

  什么是DRAM

  DRAM 的英文全称是’Dynamic RAM’,翻译成中文便是’动态随机存储器’。DRAM用于一般的数据存取。咱们常说内存有多大,首要是指DRAM的容量。

  什么是SRAM

  SRAM 的英文全称是’Static RAM’,翻译成中文便是’静态随机存储器’。SRAM首要用于制作Cache。

  什么是SDRAM

  SDRAM 的英文全称是’Synchronous DRAM’,翻译成中文便是’扩大数据输出内存’,它比一般DRAM和EDO RAM速度都快,它现已逐步成为PC机的规范内存装备。

  什么是Cache

  Cache 的英文本意是’贮藏’,它一般运用SRAM制作,它与CPU之间交流数据的速度高于DRAM,所以被称作’高速缓冲存储器’,简称为’高速缓存’。因为CPU的信息处理速度常常超越其它部件的信息传递速度,所以运用一般的DRAM来作为信息存储器常常使CPU处于等候状况,形成资源的糟蹋。Cache便是为了处理这个问题而诞生的。在操作体系发动今后,CPU就把DRAM中常常被调用的一些体系信息暂时储存在Cache里边,今后当CPU需求调用这些信息时,首先到Cache里去找,假如找到了,就直接从Cache里读取,这样运用Cache的高速功能就可以节约许多时刻。大多数CPU在本身中集成了一定量的Cache,一般被称作’一级缓存’或’内置Cache’。这部分存储器与CPU的信息交流速度是最快的,但容量较小。大多数主板上也集成了Cache,一般被称作’二级缓存’或’外置Cache’,比内置Cache容量大些,一般可到达256K,现在有的主板现已运用了512K~2M的高速缓存。在最新的Pentium二代CPU内部,现已集成了一级缓存和二级缓存,那时主板上的Cache就只能叫作’三级缓存’了。

  什么是闪存

  闪存 现在主板上的BIOS大多运用Flash Memory制作,翻译成中文便是’闪烁的存储器’,一般把它称作’快闪存储器’,简称’闪存’。这种存储器可以直接经过调理主板上的电压来对BIOS进行晋级操作。

  解说为什么dram要改写,sram不需求:

  这个是因为ram的规划类型决议的,dram用了一个t和一个rc电路,导致电容毁漏电和缓慢放电。所以需求常常的改写来坚持数据

  详细解说二:

  DRAM,动态随机存取存储器,需求不断的改写,才干保存数据。 并且是队伍地址复用的,许多都有页模式。

  SRAM,静态的随机存取存储器,加电情况下,不需求改写,数据不会丢掉,并且,一般不是队伍地址复用的。

  SDRAM,同步的DRAM,即数据的读写需求时钟来同步。

  DRAM和SDRAM因为完结工艺问题,容量较SRAM大。可是读写速度不如SRAM,可是现在,SDRAM的速度也现已很快了,时钟如同现已有150兆的了。那么便是读写周期小于10ns了。SDRAM尽管作业频率高,可是实践吞吐率要打折扣。以PC133为例,它的时钟周期是7.5ns,当CAS latency=2 时,它需求12个周期完结8个突发读操作,10个周期完结8个突发写操作。不过,假如以替换方法拜访Bank,SDRAM可以在每个周期完结一个读写操作(当然除掉改写操作)。其完结在的干流高速存储器是SSRAM(同步SRAM)和SDRAM(同步DRAM)。现在可以便利买到的SSRAM最大容量是8Mb/片,最大作业速度是166MHz;可以便利买到的SDRAM最大容量是128Mb/片,最大作业速度是133MHz。

  SRAM是Static Random Access Memory的缩写,中文意义为静态随机拜访存储器,它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只需不掉电,存储在SRAM中的数据就不会丢掉。这一点与动态RAM(DRAM)不同,DRAM需求进行周期性的改写操作。 然后,咱们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混杂,因为SRAM是一种易失性存储器,它只要在电源坚持接连供给的情况下才干够坚持数据。“随机拜访”是指存储器的内容可以以任何次序拜访,而不论前一次拜访的是哪一个方位。

  SRAM中的每一位均存储在四个晶体管傍边,这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个安稳状况,一般表明为0和1。别的还需求两个拜访晶体管用于操控读或写操作过程中存储单元的拜访。因而,一个存储位一般需求六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的拜访速度要快于DRAM。SRAM比DRAM拜访速度快的别的一个原因是SRAM可以一次接纳一切的地址位,而DRAM则运用行地址和列地址复用的结构。

  SRAM不应该与SDRAM相混杂,SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),这与SRAM是彻底不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混杂,PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。

  从晶体管的类型分,SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分,SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。异步SRAM的拜访独立于时钟,数据输入和输出都由地址的改变操控。同步SRAM的一切拜访都在时钟的上升/下降沿发动。地址、数据输入和其它操控信号均于时钟信号相关。

  DRAM:动态随机存取存储器,需求不断的改写,才干保存数据。并且是队伍地址复用的,许多都有页模式。

  SRAM:静态的随机存取存储器,加电情况下,不需求改写,数据不会丢掉,并且,一般不是队伍地址复用的。

  SDRAM:同步的DRAM,即数据的读写需求时钟来同步。

  首要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需求一个晶体管和一个电容(不包括行读出放大器等),而一个SRAM存储单元大约需求六个晶体管。DRAM和SDRAM因为完结工艺问题,容量较SRAM大,可是读写速度不如SRAM。

  一个是静态的,一个是动态的,静态的是用的双稳态触发器来保存信息,而动态的是用电子,要不时的改写来坚持。

  内存(即随机存贮器RAM)可分为静态随机存储器SRAM,和动态随机存储器DRAM两种。咱们常常说的“内存”是指DRAM。而SRAM咱们却触摸的很少。

  SRAM其实是一种十分重要的存储器,它的用处广泛。SRAM的速度十分快,在快速读取和改写时可以保

  持数据完整性。SRAM内部选用的是双稳态电路的方式来存储数据。所以SRAM的电路结构十分复杂。制作相同容量的SRAM比DRAM的本钱高的多。正因为如此,才使其开展受到了约束。因而现在SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少数的网络服务器以及路由器上可以运用SRAM。

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