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内存疯、闪存喷 存储业界涨势深度剖析

9月DRAM价格猛增13% Flash亦涨4%最近几个月来,DRAM价格连连上涨,同时也拉升了NAND Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好消息。虽然

9月DRAM价格陡增13%,Flash亦涨4%

最近几个月来,DRAM价格连连上涨,一起也拉升了NAND  Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好音讯。尽管各大内存厂商的产品订单和资金流相较2009年年头的金融海啸时期已经有较大起色,可是这内存的价格上涨也涉及到了电子卖场中的零售价格。那么终究现在的内存产品是怎样的一个局势呢,下面小编就给我们来个深度剖析,给你讲讲这儿面的道道。

9 月的1Gbit DDR2 DRAM的均匀报价约为 1.70 美元,较上个月多出了近  13%。DDR2产品呈现缺货情况,因日本和南韩的回忆体晶片制作商,皆已转向出产 DDR3 DRAM。PC制作商对DRAM的需求添加强势,部分原因在于微软的新系统  Windows 7 需求,Windows  7将于10月22日正式揭露露脸。尽管说Windows7不是救世主,可是Windows7也极大的影响了内存方面的消费。一般用以制作随身型音乐播放器的16GB  NAND Flash,9月均匀价格添加4%到4.70 美元。32GB的样式价格则上扬11% 至约7.50 美元。

智能手机的遍及,也进步了Flash回忆体的需求。一位剖析师臆测指出,此波价格上涨乃因为苹果公司大幅调升其iPhone  3GS产品的出产数量。苹果最新发行的iPod播放器,出售情况也适当优异微弱。另一方面,全球第2大的NAND制作商东芝高层人士指出,大容量SD卡的需求也正日积月累。无论是内存仍是闪存,在10月的时分,还会有进一步上扬的态势。我国南边山寨厂商,要想进一步压低本钱,能够在最近多囤积一些内存闪存,以便敷衍行将到来的圣诞节和新年的大批量订单。

DRAM现货坐地起价飙到2.5美元

本月初DRAM站稳2美元后,随旺季需求连续,上星期以来DRAM涨势加快,每天都以上涨逾3%的起伏行进,现在DDR3、DDR2继续走涨,1Gb DDR2  800MHz上涨2.71%,来到2.5美元,创近一年半新高价。

1Gb DDR2上涨2.64%,为2.41美元;1Gb DDR3上涨1%,来到2.35美元。估计本月上旬现货价飙涨逾越两成,1Gb  DDR2不光抵2.5美元,且价格逾越DDR3,预期短期仍有时机应战新高,惟波段涨幅已高,本月下旬涨势或许降温。随现货走扬,力晶活跃扩产,有利10  月营收再攀高。9月南科合约价涨幅约15%,本月合约价涨势可望加温,预估南科10月合约价涨幅二成以上。

高标准出产工艺吓死人

日本回忆体晶片大厂尔必达宣告,将在年末导入40纳米制程量产,尔必达在台合作同伴力晶、瑞晶随后跟进,本钱竞赛力大增。因为40纳米技能可添加近五成产出,尔必达联盟对后段封测协力厂力成将扩展订单,同步受惠。尔必达计划斥资400亿日圆约为4.52亿美元,跨入40纳米制程以进步产出,尔必达表明,由如今50纳米制程微缩到下个代代制程,每片晶圆产出可添加44%。

别的半导体大厂三星子、海力士半导体均大举微缩制程,以添加单一晶圆的产出量。透过制程微缩来下降本钱,均匀每一个纳米代代,所投入本钱约10亿美元左右。伴跟着回忆体价格上升,本年以来干流DRAM价格约上涨3倍之多,具有实力半导体厂打开另一回合制程比赛。

台湾DRAM厂中,本来仅有从属美光联盟的南科、华亚科有40纳米布局蓝图,估计透过一起研制方法,明年末导入。南韩内存制作商Hynix.  12日宣告,将开端量产一款采54纳米制程技能的1GB DDR3  DRAM,其耗电量将节约30%,运算速度则较DDR2添加近1倍。Hynix表明,该公司计划将动力节约技能应用于未来推出的产品,包含行将在本季稍晚量产的44纳米制程2GB  DDR3。此外,Hynix并计划在09年末前将DDR3产能比重由现在的30%提升至逾越50%。

依据科技市调组织iSuppli计算,1GB DDR3  DRAM占全体DDR3商场的比重现在已达87%。提升到先进的出产工艺,能够极大的削减出产本钱,由此让内存产品更具价格竞赛力。

劲永弄到钱了,私募4.75亿元入账

最近内存业界有一件大事发生。内存模组厂劲永完结私募案,除了同业威刚之外,包含NAND  Flash规划公司联阳、IC通路商益登、回忆卡封装厂硕达等上下流同业纷繁力挺,而这次参加私募的同伴因为联电颜色稠密,也引发商场重视。劲永这次私募共募得新台币4.75亿元,趁现在回忆体工业开端复苏,DRAM和NAND  Flash价格上扬之际,募得资金已取得下一波营运生长动能。

跟着DRAM和NAND  Flash价格谷底翻扬,回忆体模组工业首先走出工业股底,2009年不光转亏为盈,且获利才能远优于上游回忆体制作厂,并趁着景气好转之际,活跃进行筹资活动,其间劲永藉由此次私募,更是与威刚进行战略联盟,这是继威刚出资宇瞻后,再度出手出资模组同业。

劲永这次私募价为每股19.56元,共募得新台币4.75亿元资金中,较受注视的参加者包含威刚、益登、联阳和硕达。其间威刚认购6000万元、益登认购  2000万元、联阳认购1000万元、硕达认购750万元,其他出资人包含兆丰世界商业银行受托保管汉鼎亚太大中华生长基金出资专户、香港上海汇丰银行台北分行受托保管EFG银行出资专户和华升创投等。

内存厂商以为,因为劲永和威刚在回忆体工业中,DRAM和NAND  Flash供给货源都适当附近,皆与海力士、英特尔、力晶等大厂交好,这次威刚藉由私募方法出资劲永,未来有时机发挥联合收购的优势,把握这波回忆工业的多头行情,加上具联电颜色的联阳参加,劲永逐渐也冠上联电颜色。劲永在DRAM和NAND  Flash价格上扬,终端需求转强下,第3季兼并营收达55.63亿元,较第2季33亿元添加达70%,营运显着走出谷底,加上战略性合作同伴到位,公司对下半年营运适当有决心。

东芝转亏为盈,台商股指涨停

因本钱删减战略见效、新兴国家需求添加以及节能家电遍及计划等政策办法作用闪现,拉抬数位家电及轿车出售触底走扬,鼓励日本各制作业大厂堕入亏本的首要工作部分纷繁转亏为盈。在成绩取得改进的工作中尤以半导体部分改进情况最为显着。其间,东芝旗下运用于可携式音乐播放机、PC回忆媒体的NAND  Flash部分因从年头到6月继续进行减产30%的办法,形成供需紧绷加上价格止跌,故已于本年Q3)转亏为盈,较东芝原先预估于Q4转盈的方针提早了一季到达。虽有日圆走高级不明要素存在,惟若单个部分经营获利情况继续取得改进,则可望有用支撑力求走向回复之路的制作业全体成绩。

另一方面,DRAM现货价在突破2美元后,继续走高,力晶因子公司瑞晶首先转盈而大涨,而华亚科本季也可望转盈攻涨停。近来力晶反映旗下子公司瑞晶首先转盈而大涨,而华亚科本季也可望转亏为盈,随下周三将首先召开法说会发布季报,近来买盘激增,止跌弹升,带动类股体现强势。

南科、华亚科已订10月21日首先举办法说会,受惠第三季DRAM价格走升,单季亏本将可望继续缩小,其间华亚科本季可望继瑞晶之后,成为第二家转亏为盈的  DRAM公司。现在DRAM成为类股中的强势目标。DRAM现货价上星期五继续大涨,DDR2  1Gb的报价已攀升至每颗2.27美元,不可是一年多来的新高,也已是部份厂商可获利的价位,因为厂商指出,现在DDR2继续缺货中,预估现货价的涨势仍可延伸至11月。

DRAM股近来全面走扬,除了已清晰表明参加台湾立异回忆体公司的茂德强攻涨停板外,其他DRAM股也都比台股的走势强。DRAM现货价在突破2美元后,继续走高,力晶因子公司瑞晶首先转盈而大涨,而华亚科本季也可望转盈攻涨停。力晶攻破季线,该公司上月营收达33.12亿元,较8月营收生长25%,创本年度新高纪录,转出资瑞晶电子更已于9月首先转亏为盈,成为台  DRAM厂第一家,以现在DRAM现货价已达2美元以上,本季将继续获利,为力晶挹注获利。力晶表明因为标准型DRAM报价稳步走高,加上该公司出货添加,营收呈现安稳生长。鉴于下流PC商场需求畅旺,对DRAM供需平衡将有正面助益,跟着报价逐渐走扬,力晶将可收回巨大折旧,发生满足现金,强化财务情况。相较其它DRAM厂商仍以70纳米制程为主力,力晶65纳米技能现在仍把握明显的本钱优势,瑞晶电子第三季可望呈现损益两平佳绩。

笔记本SSD商场生长达7倍之多

飙涨的闪存价格让SSD固态硬盘取代笔电中传统硬盘的脚步放缓。可是运用的SSD的笔记本却愈来愈多,比上一年一举添加7倍。iSuppli周四发布陈述,SSD的企业商场营收可望从上一年的1.27亿美元生长到本年的8.83亿美元,而出货台数也从上一年的140万台生长到580万台。占SSD本钱90%  以上的NAND Flash本钱飙涨,使得SSD在笔电商场彻底无法和HDD竞赛。iSuppli剖析师Michael  Yang指出,对想扩大功用和下降全体耗电量的企业来说,SSD却是很具吸引力的挑选。SSD厂商希望明后年因为企业IT运算架构厂商加快选用,SSD的出售能再立异高。此外,企业选用也有助于压低SSD全体价格,从而带动其在笔电商场的SSD推行。

其他推动笔电选用SSD的关键要素则来自厂商,包含研制更好的功用、比HDD更大的效益以及更强的商场行销,iSuppli说。因为SSD价格一定会高过  HDD,所有这些要素都不可或缺。iSuppli猜测,到2013年SSD商场总值将到达108亿美元,从2008年起,年复合生长率为142.8%。而出货台数2008到2013年的年复合生长率为115.6%,生长到6520万台。相较HDD,SSD的优势包含I/O速度更快、耗电量率、体积小等等。这些要素都有助于下降数据中心本钱,更能抵消SSD的高价。

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