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LTC1255高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

LTC1255相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,LTC1255供应信息可在查IC网搜索

LTC1255相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,LTC1255供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

LTC®1255 双通道高压侧驱动器答应在高压侧工业和轿车开关运用中运用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提高至高于正电源轨,从而在未运用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。低功率操作 (具有 12μA 待用电流) 使其在简直一切体系中运用时都能够完成最高的功率。

在该芯片内集成了独立的过流检测功用电路,以在发作短路的情况下供给主动停机。能够给电流检测增加一个延时,以避免在高浪涌电流负载上引起误触发。

LTC1255 选用 9V 至 24V 电源供电作业,并且十分合适工业和轿车运用。

LTC1255 可供给 8 引脚 DIP 封装和 8 引脚 SOIC 封装。

运用

  • 螺线管驱动器
  • DC 电机驱动器
  • 步进电机驱动器
  • 灯驱动器 / 调光器
  • 继电器驱动器
  • 低频 H 桥
  • 代替 P 沟道开关

优势和特色

  • 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET
  • 12μA 待用电流
  • 可在 9V 至 24V 的电源电压范围内作业
  • 短路维护
  • 可容易地供给针对电源瞬变的维护
  • 受控接通和关断时刻
  • 无外部充电泵组件
  • 可兼容规范逻辑器材系列
  • 选用 8 引脚 SOIC 封装

LTC1255电路图

LTC1255

LTC1255中文PDF下载地址

LTC1255下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/lt1255.pdf

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