您的位置 首页 新能源

ARM中心板之-电平转化电路(下)

在上篇,小编为大家介绍了两种电平转换电路,这节将继续以致远电子MiniARM工控核心板的实例来给大家介绍其他几种电平转换电路。3.晶体管+上拉电阻通过双极性晶体管,集电极由上拉电阻接到电源,输入的高电

  在上篇,小编为我们介绍了两种电平转化电路,这节将持续以致远电子MiniARM工控中心板的实例来给我们介绍其他几种电平转化电路。

  3.晶体管+上拉电阻

  经过双极性晶体管,集电极由上拉电阻接到电源,输入的高电平的电压值便是电源电压值。以MiniARM中心板与GPRS模块为例,如图1所示

  

  图1 晶体管电平转化电路

  当GPRS模块TXD为高电平时,因为Q1的Ve=Vb,三极管截止,上拉电阻R1将MiniARM的RXD拉高到高电平。

  当GPRS模块TXD为低电平时,因为Q1的Ve

  当MiniARM的TXD为高电平时,因为Q2的Ve>Vb,三极管截止,上拉电阻R5将GPRS模块的RXD拉到高电平。

  当MiniARM的TXD为低电平时,因为Q2的Ve

  在挑选集电极上拉电阻的阻值时,需求考虑输入的通讯速率和上拉电阻上的电流耗费。减小上拉电阻阻值,能够进步通讯速度,获取更短的开关时间,但却增大了低电平时电阻上的电流耗费。增大电阻阻值,开关时间延伸,通讯速度下降。

  4.MOS管+上拉电阻

  选用MOSFET器材完成电平转化,该规划办法跟办法3类似。

  

  图 2 MOSFET电平转化电路

  当GPRS模块TXD为高电平时,因为Ugs=0,NMOS截止,上拉电阻将MiniARM的RXD拉高到高电平。

  当GPRS模块TXD为低电平时,因为Ugs>0,Uds>0,NMOS导通,MiniARM的RXD会得到电压值为0.1V+Uds的低电平。

  此外,运用该电路需求留意:

  1. VDD_EXT≤VCC_MCU

  2. MiniARM的低电平门限应大于NMOS管压降+0.1V

  3. Vgs≤VDD_EXT

  4. Vds≤VCC_MCU

  5. 74xHCT系列芯片(3.3V转5V)

  兼容5V TTL电平的CMOS器材,都能够用作3.3V转5V的电平转化芯片。这是因为3.3V CMOS的电平刚好和5V TTL电平兼容(如图3所示)。选用这种办法可挑选廉价的74xHCT系列的芯片来完成与TTL兼容。

  

  图3 5V与3.3V阈值电压

  6.专用电平转化芯片

  选用专用的电平转化芯片(如74LVC16245、SN74LVC1T45、SN74LVC2T45)。经过电平转化芯片,能够使在芯片所能接受的不同电压节点之间进行灵敏的双向电平转化。该办法具有较高的灵敏性,但本钱较高。

  致远电子的MiniARM工控中心板具有强壮的功用和牢靠的稳定性,经过选用该系列中心板进行产品开发,能够使得用户的产品开发流程更短、开发的产品更具牢靠。其扼要描绘如下表所示。

  

声明:本文内容来自网络转载或用户投稿,文章版权归原作者和原出处所有。文中观点,不代表本站立场。若有侵权请联系本站删除(kf@86ic.com)https://www.86ic.net/qiche/xinnengyuan/246830.html

为您推荐

联系我们

联系我们

在线咨询: QQ交谈

邮箱: kf@86ic.com

关注微信
微信扫一扫关注我们

微信扫一扫关注我们

返回顶部