Flash芯片是由内部不计其数个存储单元组成的，每个单元存储一个bit。具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在体系编程（烧写）、擦除等特色，而且可由内部嵌入的算法完结对芯片的操作，因而在各种嵌入式体系中得到了广泛的使用。
作为一种非易失性存储器，Flash在体系中一般用于寄存程序代码、常量表以及一些在体系掉电后需求保存的用户数据等。
常用的Flash为8位或16位的数据宽度，编程电压为单3.3V。首要的出产厂商为INTEL、ATMEL、AMD、HYUNDAI等。Flash技能依据不同的使用场合也分为不同的开展方向，有拿手存储代码的NOR Flash和拿手存储数据的NAND Flash。一下对NOR Flash和NAND Flash的技能别离作了相应的介绍。
一．NOR Flash
1.商场介绍
跟着技能的开展，愈来愈多的电子产品需求更多的智能化，这也对这些产品的程序存储提出了更高的要求。Flash作为一种低成本、高集成度的存储技能在电子产品范畴的使用十分广泛。今日90%的PC、超越90%的手机、超越50%的Modem，都是用了Flash，现在Flash商场规模现已超越了100亿美元。
如此巨大的商场规模，也导致商场上的Flash品牌层出不穷。在NOR Flash商场中，Intel公司是十分重要的一家出产厂商。Intel公司出产的Flash芯片多年来占有着商场的很大比例，而它的芯片封装方式和接口也成为业界规范，从而为不同品牌的Flash带来了兼容的便利。
2.NOR Flash的硬件规划和调试
首要，Flash要经过体系总线接在处理器上，即坚持一个高速的数据交换的通道。那么就必须了解一下Flash在体系总线上的根本操作。
1） 先了解一下处理器存储空间BANK的概念。以32位处理器S3C2410为例，理论上能够寻址的空间为4GB，但其中有3GB的空间都预留给处理器内部的寄存器和其他设备了，留给外部可寻址的空间只要1GB，也便是0X00000000~0X3fffffff，一共应该有30根地址线。这1GB的空间，2410处理器又依据所支撑的设备的特色将它分为了8份，每份空间有128MB，这每一份的空间又称为一个BANK。为便利操作，2410独登时给了每个BANK一个片选信号（nGCS7~nGCS0）。其实这8个片选信号能够看作是2410处理器内部30根地址线的最高三位所做的地址译码的成果。正因为这3根地址线所代表的地址信息现已由8个片选信号来传递了，因而2410处理器最终输出的实践地址线就只要A26~A0（如下图1）
图12410内存BANK示意图
2）以图2(带nWAIT信号)为例，描绘一下处理器的总线的读操作过程，来阐明Flash全体读、写的流程。第一个时钟周期开端，体系地址总线给出需求拜访的存储空间地址，经过Tacs时刻后，片选信号也相应给出（锁存当时地址线上地址信息），再经过Tcso时刻后，处理器给出当时操作是读（nOE为低）仍是写（new为低），并在Tacc时刻内将数据数据准备好放之总线上，Tacc时刻后（并检查nWAIT信号，为低则延伸本次总线操作），nOE拉高，锁存数据线数据。这样一个总线操作就根本完结
图2带nWAIT信号的总线读操作
3）NOR Flash的接口规划（现代的29LV160芯片）
29LV160存储容量为8M字节，作业电压为3.3V，选用56脚TSOP封装或48脚FBGA封装，16位数据宽度。29LV160仅需单3.3V电压即可完结在体系的编程与擦除操作，经过对其内部的指令寄存器写入规范的指令序列，可对Flash进行编程（烧写）、整片擦除、按扇区擦除以及其他操作。引脚信号描绘和接口电路别离如图3和图4所示。
图3 29LV160引脚信号描绘
图4FLASH（29LV160）接口电路
能够从信号引脚图3和总线操作图2看出，NOR Flash的接口和体系总线接口彻底匹配，能够很容易地接到体系总线上。
3.NOR Flash的软件规划
Flash的指令许多，但常用到的指令就3种：辨认、擦除、编程指令。以下就对3种指令作别离的扼要介绍：
1）NOR Flash的辨认
29lv160_CheckId()
{
U8 tmp;
U16 manId,devId;
int i;
_RESET();
_WR(0x555,0xaa);
_WR(0x2aa,0x55);
_WR(0x555,0x90);
manId=_RD(0x0);
devId=_RD(0x1);
_RESET();
printf(“Manufacture ID(0x22C4)=%4x, Device ID(0x2249)=%4x\n”,manId,devId);
if(manId == 0x22C4 && devId == 0x2249)
return 1;
else
return 0;
}
NOR Flash的辨认程序由四个读写周期就能够完结，在Flash的相关指令表中能够查到相应ID辨认的指令。
2）NOR Flash的擦除
要对NOR Flash进行写操作，就一定要先进性擦除操作。NOR Flash的擦除都是以块（sector）为单位进行的，可是每一种类型的Flash的sector的巨细不同，即便在同一片的Flash内，，不同sector的巨细也是不彻底相同的。
void 29lv160db_EraseSector(int targetAddr)
{
printf(“Sector Erase is started!\n”);
_RESET();
_WR(0x555,0xaa);
_WR(0x2aa,0x55);
_WR(0x555,0x80);
_WR(0x555,0xaa);
_WR(0x2aa,0x55);
_WR(BADDR2WADDR(targetAddr),0x30);
return_WAIT(BADDR2WADDR(targetAddr);
}
图5Erase Operation
Int_WAIT(void)
{
unsigned int state，flashStatus，old;
old=_RD(BADDR2WADDR(0x0));
while(1)
{
flashStatus=_RD(BADDR2WADDR(0x0));
if( (old&0x40) == (flashStatus&0x40) )
break;
if( flashStatus&0x20 )
{
//printf(“[DQ5=1:%x]\n”,flashStatus);
old=_RD(BADDR2WADDR(0x0));
flashStatus=_RD(BADDR2WADDR(0x0));
if( (old&0x40) == (flashStatus&0x40) )
return 0;
else return 1;
}
//printf(“.”);
old=flashStatus;
}//printf(“!\n”);
return 1;
}
图6Toggle Bit Algorithm
以上的办法为查询数据线上的一个特定位Toggle位。此外还有2种检测办法，一种为供给额定的Busy信号，处理器经过不断查询Busy信号来得知Flash的擦除操作是否完结，一般较少使用；一种为查询Polling位。
3）NOR Flash的编程操作
int 29lv160db_ProgFlash(U32 realAddr,U16 data)
{
_WR(0x555,0xaa);
_WR(0x2aa,0x55);
_WR(0x555,0xa0);
_WR(BADDR2WADDR(realAddr),data);
return_WAIT(BADDR2WADDR(realAddr);
}
对擦除过的Flash进行编程比较简单，但仍然用到以上说到的查询算法，速度比较慢，一般为20uS，最长的到达500uS。
