
基于Tsmc0.18μmCMOS工艺的全差分的共源共栅低噪声放大器设计-随着半导体技术和无线通讯技术的发展,无线移动产品已得到广泛使用。作为无线信息接收的最前端部件,低噪声放大器具有其特殊的地位和作用,其性能尤其是噪声系数几乎决定了整个接收链路的噪声性能。本文着重从稳定性、噪声源、线性度、匹配网路关键点进行分析,并针对WCDMA接收机系统应用,设计了低噪声放大器,电路采用TSMC90nmCMOS工艺。芯片测试结果表明,该低噪声放大器,电压增益达到20 dB、噪声系数NF为1.4 dB、IIP3为-3.43 dBm。

采用并行式多频段LNA实现低噪声放大器电路的设计-近年来,随着无线通信技术的蓬勃发展,可兼容多种移动通信系统标准的新一代移动终端的研究正逐渐成为热点。要实现多频段的移动终端接收系统,需要解决的首要问题就是如何实现位于该系统第一级的低噪声放大器LNA的多频段化。

2.4G低噪声放大器电路的设计和仿真分析-随着无线通信技术的小断发展,系统要求更高的集成度,更强的功能以及更低的功耗。同时,CMOS技术已经发展到深亚微米水平,使得CMOS器件的高频特性得到进一步改善,已经能与锗硅和砷化钾器件相媲美。另外,CMOS器件在功耗上占有优势,因此深亚微米的CMOS技术在无线通信体系中很有应用潜力。在射频接收机中,低噪声放大器(LNA)占有重要位置,他在放大输入的微弱信号的同时抑制伴随的噪声。因此,低噪声系数与高增益是LNA的两个重要指标,当然这两个指标还要与功耗、线性度、输入输出匹配及小工作电流时的无条件稳定性相互折衷。

基于L波段单级高线性低噪声放大器的设计-本文介绍了一种L波段单级高线性低噪声放大器的工作原理和设计方法。与传统的接收机射频前端放大器主要考虑低噪声和高增益特性不同,文中选用了低成本、低功耗的SiGe NPN BJT器件设计高三阶交截点的低噪声放大器。设计中利用了微波CAD工具对电路进行仿真与优化,同时对生成的微带印刷电路板进行了电磁仿真。

基于低噪声放大器MAX2640对输入和输出匹配电路进行优化设计-MAX2640是一款低成本、低噪声放大器,专为400MHz至2500MHz频率范围的应用设计。本应用笔记给出了针对470MHz至770MHz ISDB-T应用对MAX2640 RF匹配电路的调整。通过优化电路,使其在整个工作频段满足下列指标:噪声系数< 1.2dB、增益> 15dB、输入回波损耗< -3dB、输出回波损耗< -12dB、IIP > -18dBm、输入P1dB > -26dBm。

基于层陶瓷电容器实现低噪声放大器电路的设计-在设计一个低噪声放大器电路时,我的注意力被某些有意思的运行方式所吸引。在我的工作台上随意移动印刷电路板 (PCB) 使得输出电压突然变化!由于感到很有意思,我决定进行一个测试:我重复轻轻敲打PCB,与此同时观察示波器上的输出电压。

基于无线传感器网络的低噪声放大器电路设计-低噪声放大器LNA ( low noise amp lifier)是射频接收前端的主要组成部分。由于位于接收前端的第一级,直接与天线相连,所以它的噪声特性将对整个系统起着决定性作用。