同步整流旨在通过用低导通电阻的MOSFET代替常规的肖特基二极管进行整流来减小损耗，提升能效。以5 V应用为例，使用肖特基二极管整流将产生0.3 V的导通
摘要：工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权
交越失真及产生原因和改善方法-在分析电路时把三极管的导通电压看作零，当输入电压较低时，因三极管截止而产生的失真称为交越失真。这种失真通常出现在通过零值处。与一般放大电路相同，消除交越失真的方法是设置合适的静态工作点，使得三极管在静态时微导通。
是指在放大电路中，输出信号并非是输入信号完全的、真实的放大，而是多多少少走了样，这种走样即是失真。引起失真有多种，此为失真的一种形式。
由于晶体管的门限电压不为零，比如一般的硅三极管，NPN型在0.7V以上才导通，这样在0~0.7就存在死区，不能完全模拟出输入信号波形，PNP型小于-0.7V才导通，比如当输入的交流的正弦波时，在-0.7~0.7之间两个管子都不能导通，输出波形对输入波形来说这就存在失真，即为交越失真。
功放电路工作原理-R3、R4为VT2提供了静态偏置电流，C点电压通过R5、R1为VT1提供一个偏置电压，使VT1处于甲类导通状态，当VT1导通后，B点电位由高电平转变为低电平，使二极管VD4正向导通，VT3获得正向偏置电压，处于导通状态。
CD4066四双向模拟开关的测试电路-CD4066的引出端排列与CD4016一致，但具有比较低的导通阻抗。另外，导通阻抗在整个输入信号范围内基本不变。CD4066由四个相互独立的双向开关组成，每个开关有一个控制信号，开关中的p和n器件在控制信号作用下同时开关。
CMOS传输门的边沿触发器电路结构及工作原理-当CP′=0，CP′=1时，TG1导通，TG2截止，D端输入信号送人主触发器中，使Q′=D，Q′=D，但这时主触发器尚未形成反馈连接，不能自行保持。Q′、Q′跟随D端的状态变化;同时，由于TG3截止，TG4导通，所以从触发器形成反馈连接，维持原状态不变，而且它与主触发器的联系被TG3切断。
如何选择汽车电子系统中的功率开关产品-导通电阻有时候也译成通态电阻。在同样的条件下，NMOSFET的导通电阻比PMOSFET要小。这是因为电子的导通速度比空穴快，因而影响到导通电阻。因此，为了追求低导通电阻，在某些高边的驱动应用中，是用充电泵加上NMOSFET来完成PMOSFET作为高边的应用。付出的代价是价格变高，驱动电路也比低边驱动复杂。
CMOS模拟开关NLAS5223的结构原理、特点和应用-NLAS5223是安森美公司推出的器件，是一种先进的CMOS模拟开关。在一个小尺寸10引脚WQFN封装中，有两个独立的单刀双掷模拟开关。该模拟开关主要特点：工作电压低，VCC=1.65～3.6V（型号为NLAS5223的与2.8V芯片接口，型号为NLAS5223L的与1.8V芯片接口）；低功耗，最大的静态电流为±1μA（25℃）；传输电流大，每一个开关可连续传输±300mA电流；开关的导通电阻小，在VCC=3.0 ±0.3V时，其导通电阻RDS（on）《0.5Ω；导通电阻在不同输入电压时，其平直度为0.15Ω；两个开关之间的导通电阻匹配性（电阻差值）不大于0.05Ω；开关关断时，绝缘电阻高；备用状态时备用电流低，小于50nA；耐静电击穿电压为2000V；无铅封装；10引脚薄型QFN封装（1.4mm×1.8mm×0.75mm）；工作温度范围-40～+85℃。
