本文先对mos失效的原因总结以下六点，然后对1,2重点进行分析：1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且
5、继承以上条件，将开槽改为在参考平面GND2上，参考平面GND1保持完整，其三维几何图形如图11: 图14 参考GND2 平面开槽的三维几何图形进行分析计算。
摘要：设计了一种基于TOP223Y多路输出单端反激式开关电源。采用TOP Switch系列三端高频单片开关电源芯片，配合由TL431、PC817A组成的反馈系统对外围电路进行分析。设计出了一种输出为+
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