摘要：
介绍了一种新式的相变存储器驱动电路的基本原理，规划了一种依托电流驱动的驱动电路，全体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流发生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16 Kb以及1 Mb容量的相变存储器芯片的规划，并选用中芯世界集成电路制作(上海) 有限公司的0118μm规范CMOS 工艺完成。该驱动电路经过Hspice 仿真，标明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度，取得了杰出的仿真成果，在16 Kb相变存储器芯片测验中，进一步验证了以上仿真成果。
要害词:
相变存储器； 电流驱动；基准电压；偏置电流；电流镜；互补金属氧化物半导体
0 导言
相变存储器(PC2RAM) 是一种新式半导体存储器，在研制下一代高功用不蒸发存储技能的剧烈竞赛中，PC2RAM在读写速度、读写次数、数据坚持时刻、单元面积、功耗等方面的许多优势显现了极大的竞赛力， 得到了较快的开展。相变存储器是使用加工到纳米尺度的相变资料在晶态与非晶态时不同的电阻状况来完成数据存储 。读、写操作是经过施加电压或电流脉冲信号在相变存储单元上进行的 。相变存储单元对驱动电路发生的驱动电压或电流非常灵敏，因而, 规划一个功用优秀的驱动电路成为完成芯片功用的要害。
本文介绍了一种新式的、结构简略的相变存储器驱动电路规划, 该电路选用电流驱动方法, 首要包含基准电压电路、偏置电流电路、电流镜电路及控制电路。
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