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ADG636双电源模仿开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG636相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,ADG636供应信息可在查IC网搜索相关

ADG636相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,ADG636供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

ADG636是一款单芯片器材,内置两个独立可选的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时,各开关在两个方向的导电功能相同。

ADG636选用±2.7 V至±5.5 V双电源或+2.7 V至+5.5 V单电源供电。

此开关在整个信号规模内具有±1.5 pC的超低电荷注入,25°C时的典型漏电流为10 pA。此外,它的典型导通电阻为85 Ω,两个通道间的匹配在2 Ω以内。它还具有低功耗和高开关速度特性。

ADG636为先开后合式开关,选用14引脚TSSOP封装。

产品聚集
1. 超低电荷注入。QINJ:±1.5 pC(典型值,整个信号规模)
2. 漏电流<0.25 nA(最大值,85ºC)
3. 双电源(±2.7 V至±5 V)或单电源(+2.7 V至+5.5 V)供电
4. 轿车使用温度规模:−40°C至+125°C
5. 小型14引脚TSSOP封装

使用
- 自动测试设备
- 数据收集体系
- 电池供电外表
- 通讯体系
- 采样坚持体系
- 长途供电设备
- 音频和视频信号路由
- 继电器代替计划
- 航空电子

优势和特色

  • 1 pC 电荷注入
  • ±2.7 V至±5.5 V双电源供电
  • +2.7 V至+5.5 V单电源供电
  • 轿车使用温度规模:
    –40°C 至 +125°C
  • 100 pA(最大值,25°C)漏电流
  • 导通电阻:85 Ω典型值
  • 轨到轨作业
  • 快速开关时间
  • 典型功耗:<0.1 μW
  • TTL/CMOS兼容型输入
  • 14引脚TSSOP封装

ADG636电路图

ADG636

ADG636中文PDF下载地址

ADG636下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADG636.pdf

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