一、从内部看内存
内存咱们其拜访速度快，拜访方法简略成为PC机与嵌入式设备不行短少的部件。
1、内存的分类
内存分为DRAM和SRAM，其间DRAM又包括SDRAM、DDR、DDR2。
DRAM：它的根本部件是小电容，电容能够再两个极板上保存电荷，可是需求定时的充电（改写），不然数据就好丢掉。缺陷：要进行不断的改写才干坚持数据，存取速度较慢。
SRAM：它是一种具有停止存取功用的内存，不需求定时改写电路就能坚持它们内部存储的数据。其长处：存取的速度快；可是缺陷是：功耗大，本钱高。常用于存储容量不高，但存取速度快的场合，比方stepping stone。
DRAM的分类：在嵌入式体系中，除了CPU内部的垫脚石选用SRAM外，板载内存一般会选用DRAM，而DRAM又能够分为SDRAM，DDR，DDR2等。
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）：同步动态随机存储器。
同步：内存作业需求同步时钟，内部指令的发送与数据的传输都以该时钟为基准。
动态：存储阵列要不断坚持改写来确保数据不丢掉。
随机：数据不是线性顺次存储，而是自在指定地址进行数据读写。
2440运用的是SDRAM
DDR：（Double Data Rate SDRAM），即“双倍速率同步动态随机存储器”。与早上的SDRAM比较，DDR除了能够在时钟脉冲的上升沿传输数据，还能够在下降沿传输信号，这就意味着在相同的作业频率下，DDR的理论传输速度为SDRAM的两倍。DDR2则在DDR的基础上再次进行了改善，使得数据传输速率在DDR的基础上再次翻倍。
6410开发板一般选用DDR内存
210开发板一般选用DDR2内存
2、内存的内部结构
内存的内部结构包括三项内容：表结构、L-Bank、寻址信息
2.1内存的内部好像表格，数据就寄存在每个单元格中。数据读写时，先指定行号（行地址），再指定列号（列地址），咱们就能够精确地找到所需求的单元格。而这张表格称为：Logical Bank（L-Bank）。
咱们技能、本钱等原因，一块内存不行能把一切的单元格做到一个L-Bank，现在内存内部根本都会分割成4个L-Bank。
内存的寻址有三个重要因素：1、L-Bank挑选信号 2、行地址 3、列地址
二、内存初始化
1、2440
关于这部分内容，接下来要从以下四个方面来论述：1、地址空间2、内存芯片的硬件衔接3、存储操控寄存器的设置4、编写代码进行内存初始化设置
1、S3c2440芯片对外供给的引脚上，只给出了27根地址线Addr[0:26]。单靠芯片上的27根引脚，它只能拜访128M的外设空间。为了扩展外设的拜访规模，S3c2440芯片又供给了8个片选信号nGCS0-nGCS7.当某个片选信号nGCSX有用时，则能够经过27根地址线去拜访对应的片选的128MB空间。咱们有8个片选，所以2440芯片能拜访的外设空间总共为8*128MB=1GB。而1G（0x40000000）以上的空间，则组织给了2440内部的寄存器，拜访这些内部寄存器，则是经过32位的处理器内部总线来完结的。
ARM9核不知道内存、NorFlash、网卡芯片寄存器地址，而是经过存储器操控器来进行解析，然后使得ARM核能够经过存储操控器寄存器来设置拜访外设寄存器。
2、S3c2440有32根数据线引脚，两片32M的内存芯片并联在数据线的高、低位上。所以说2440的数据是32位的。
3、设置2440存储操控寄存器，参阅2440的芯片手册进行设置。
BWSCON 0x22000000
BANK CON0-5 坚持不变，为0x00000070.咱们0-5不寄存内存。只要6-7才寄存了内存。
在计算机中，RAM一般用于内存。ROM用来寄存一些硬件的驱动程序，也便是固件。
咱们平常用的U盘为Flash。它能够在相同的电压下读写，且容量大，本钱低。而ROM一般读为5V，写12V。
BANK6-7 0x18001
REFRESH 定时充电
BANKSEZE
MRSRB6-7
对以上的一切寄存器进行完初始化后，内存操控器的一切寄存器就都进行了初始化。
4、代码编写：
咱们数据和寄存器比较多，所以运用循环把相应的数据存入各个寄存器。
#define mem_contrl 0x48000000init_sdram:ldr r0, =mem_contrl add r3, r0, #4*13adrl r1, mem_data0:ldr r2, [r1], #4str r2, [r0], #4cmp r0, r3bne 0b /*一共向前跳转*/mov pc, lrmem_data:.long 0x22000000 .long 0x00000700.long 0x00000700.long 0x00000700.long 0x00000700.long 0x00000700.long 0x00000700.long 0x00018001.long 0x00018001.long 0x008c04f5.long 0x000000b1.long 0x00000030.long 0x00000030
介绍一下汇编语言中的拜访存储器 [r1] 便是取出r1地址处的内容，实践便是指针操作。
6410:
1、地址空间：S3C6410处理器具有32位地址总线，其寻址空间为4GB。其间高2G为保存区，低2G区域又可分为两部分：主存储区和外设存区。
2、主存储区又分为：
发动镜像区：这个区域的效果正如它的姓名所述，是用来发动ARM体系的。可是这个区域并没有固定的存储介质与之对应。而是经过修正发动选项，把不同的发动介质映射到
该区域。比方说挑选了IROM发动方法后，就把IROM映射到该区域。
内部存储区：这个区域对应着内部的内存地址，iROM和SRAM都是散布在这个区间。0x08000000-0x0bffffff对应着内部ROM，可是IROM实践只要32KB，挑选从IROM发动的时分，首要运转便是这儿面的程序BL0，这部分代码由三星固化。0x0c000000-ox0fffffff对应内部SRAM，实践便是8KB的Steppingstone。
静态存储区：这个区域用于拜访挂在外部总线上的设备，比方说NOR flash、oneNand等。这个区域被分割为6个bank，每个bank为128MB，数据宽度最大支撑16bit，每个bank由片选Xm0CS[0]-Xm0CS[5]选中。
动态存储区：该区域从0x50000000-0x6fffffff，又分为2个区间，别离占256MB，能够片选Xm1CS[0]-Xm1CS[1]来进行着2个区间的挑选。咱们6410开发板上256MB的DDR内存就组织在这个区域，这也便是为什么6410的内存地址是从0x50000000开端的原因。
2、内存芯片的衔接能够参阅2440
3、代码编写：
咱们这部分代码量比较大，所以我把这部分独自放在了一个文件下并命名为
mem.S,并要在makefile中做相应的修正
.text.global mem_initmem_init:@set data pin;ldr r0, =0x7e00f120 mov r1, #0x0str r1, [r0]@program memc_cmd to b100,which makes DRAM Controller enter Configstate. ldr r0, =0x7e001004 mov r1, #0x4 str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001010 ldr r1, =( ( 7800 / ( 1000000000/133000000 ) + 1 ) ) str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001014 mov r1, #(3 << 1)str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001018 mov r1, #0x1str r1, [r0]ldr r0, =0x7e00101c mov r1, #0x2str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001020 ldr r1, =( ( 45 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001024 ldr r1, =( ( 68 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001028 ldr r1, =( ( 23 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )str r1, [r0]ldr r0, =0x7e00102c ldr r1, =( ( 80 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001030 ldr r1, =( ( 23 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001034 ldr r1, =( ( 15 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001038 ldr r1, =( ( 15 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )@ ldr r2, [r0]str r1, [r0]ldr r0, =0x7e00103c mov r1, #0x07str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001040 mov r1, #0x02str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001044 ldr r1, =( ( 120 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001048 ldr r1, =( ( 120 / ( 1000000000 / 133000000 ) + 1 ) )str r1, [r0]ldr r0, =0x7e00100c ldr r1, =0x00010012 str r1, [r0]ldr r0, =0x7e00104c ldr r1, =0x0b45str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001200 ldr r1, =0x150f8str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001304 mov r1, #0x0str r1, [r0]@Issue NOPldr r0, =0x7e001008 ldr r1, =0x000c0000str r1, [r0]@prechargeallldr r1, =0x00000000str r1, [r0]@Autorefreshldr r1, =0x00040000str r1, [r0]@Autorefreshldr r1, =0x00040000str r1, [r0]@mrsldr r1, =0x000a0000str r1, [r0]@mrsldr r1, =0x00080032str r1, [r0]ldr r0, =0x7e001004mov r1, #0x0str r1, [r0]check_dmc1_ready:ldr r0, =0x7e001000 ldr r1, [r0]mov r2, #0x3and r1, r1, r2cmp r1, #0x1bne check_dmc1_readynopmov pc, lr
210：
1、地址空间
1、210有4G的寻址空间，内存地址从0x20000000开端，0地址处为映射区，体系从此开端。
2、210选用的芯片是8bit的4个内存芯片（128M）。
其间DRAM0为512M
DRAM1为1G。
正告：当编写代码时，假如能够坚持默认值不变，就把寄存器设置为默认值。
4、代码的编写部分能够参阅210的芯片手册或U-Boot中的代码。
