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不间断电源(UPS)中IGBT的使用

1.引言在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT既有功率MOSFET易于驱动,控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低,通态电流大的优点、

  1.导言

  在UPS中运用的功率器材有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT既有功率MOSFET易于驱动,操控简略、开关频率高的长处,又有功率晶体管的导通电压低,通态电流大的长处、运用IGBT成为UPS功率规划的首选,只要对IGBT的特性充沛了解和对电路进行可靠性规划,才干发挥IGBT的长处。本文介绍UPS中的IGBT的运用状况和运用中的留意事项。

  2.IGBT在UPS中的运用状况

  绝缘双极型晶体管(IGBT)是一种MOSFET与双极晶体管复合的器材。它既有功率MOSFET易于驱动,操控简略、开关频率高的长处,又有功率晶体管的导通电压低,通态电流大,损耗小的明显长处。据东芝公司材料,1200V/100A的IGBT的导通电阻是同一耐压规范的功率MOSFET的1/10,而开关时刻是同规范GTR的1/10。因为这些长处,IGBT广泛运用于不间断电源体系(UPS)的规划中。这种运用IGBT的在线式UPS具有功率高,抗冲击才干强、可靠性高的明显长处。

  UPS主要有后备式、在线互动式和在线式三种结构。在线式UPS以其可靠性高,输出电压安稳,无中止时刻等明显长处,广泛用于通讯体系、税务、金融、证券、电力、铁路、民航、政府机关的机房中。本文以在线式为介绍目标,介绍UPS中的IGBT的运用。

  在线式UPS电源具有独立的旁路开关、AC/DC整流器、充电器、DC/AC逆变器等体系,作业原理是:市电正常时AC/DC整流器将交流电整流成直流电,一起对蓄电池进行充电,再经DC/AC逆变器将直流电逆变为规范正弦波交流电,市电反常时,电池对逆变器供电,在UPS产生毛病时将输出转为旁路供电。在线式UPS输出的电压和频率最为安稳,能为用户供给真实高质量的正弦波电源。

  ①旁路开关(ACBYPASSSWITCH)

  旁路开关常运用继电器和可控硅。继电器在中小功率的UPS中广泛运用。长处是操控简略,本钱低,缺陷是继电器有转化时刻,还有便是机电器材的寿数问题。可控硅常见于中大功率UPS中。长处是操控电流大,没有切换时刻。但缺陷便是操控杂乱,且因为可控硅的触发作业特性,在触发导通后要在反向偏置后才干关断,这样就会产生一个最大10ms的环流电流。假如选用IGBT,则能够避免这个问题,运用IGBT有操控简略的长处,但本钱较高。其作业原理为:当输入为正半周时,电流流经Q1、D2,负半周时电流流经D1、Q2。

  ②整流器AC/DC

  UPS整流电路分为一般桥堆整流、SCR相控整流和PFC高频功率因数校对的整流器。传统的整流器因为基频为50HZ,滤波器的体积分量较重,跟着UPS技能的开展和各国对电源输入功率因数要求,选用PFC功率因数校对的UPS日益遍及,PFC电路作业的基频至少20KHZ,运用的滤波器电感和滤波电容的体积分量大大削减,不用加谐波滤波器就可使输入功率因数到达0.99,PFC电路中常用IGBT作为功率器材,运用IGBT的PFC整流器是有功率高、功率容量大、绿色环保的长处。

  ③充电器

  UPS的充电器常用的有反激式、BOOST升压式和半桥式。大电流充电器中可选用单管IGBT,用于功率操控,能够获得很高的功率和较大的充电电流。

  ④DC/AC逆变器

  3KVA以上功率的在线式UPS简直悉数选用IGBT作为逆变部分的功率器材,常用全桥式电路和半桥电路。  3.IGBT损坏的原因

  UPS在运用过程中,常常遭到容性或理性负载的冲击、过负荷乃至负载短路等,以及UPS的误操作,或许导致IGBT损坏。IGBT在运用时的损坏原因主要有以下几种状况:

  ①过电流损坏;

  IGBT有必定抗过电流才干,但有必要留意避免过电流损坏。IGBT复合器材内有一个寄生晶闸管,所以有擎住效应。图5为一个IGBT的等效电路,在规则的漏极电流范围内,NPN的正偏压缺乏以使NPN晶体管导通,当漏极电流大到必定程度时,这个正偏压足以使NPN晶体管注册,进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态,所以寄生晶闸管注册,门极失去了操控作用,便产生了擎住效应。IGBT产生擎住效应后,漏极电流过大形成了过高的功耗,最终导致器材的损坏。

  ②过电压损坏;

  IGBT在关断时,因为逆变电路中存在电感成分,关断瞬间产生尖峰电压,假如尖峰电压过压则或许形成IGBT击穿损坏。

  ③桥臂共导损坏;

  ④过热损坏和静电损坏。

  4.IGBT损坏的处理对策

  ①过电流损坏

  为了避免IGBT产生擎住效应而损坏,电路规划中应确保IGBT的最大作业电流应不超越IGBT的IDM值,一起留意可恰当加大驱动电阻RG的办法延伸关断时刻,减小IGBT的di/dt。驱动电压的巨细也会影响IGBT的擎住效应,驱动电压低,接受过电流时刻长,IGBT有必要加负偏压,IGBT生产厂家一般引荐加-5V左右的反偏电压。在有负偏压状况下,驱动正电压在10—15V之间,漏极电流可在5~10μs内超越额定电流的4~10倍,所以驱动IGBT有必要规划负偏压。因为UPS负载冲击特性各不相同,且供电的设备或许产生电源毛病短路,所以在UPS规划中采纳限流办法进行IGBT的电流约束也是有必要的,可考虑选用IGBT厂家供给的驱动厚膜电路。如FUJI公司的EXB841、EXB840,三菱公司的M57959AL,57962CL,它们对IGBT的集电极电压进行检测,假如IGBT产生过电流,内部电路进行封闭驱动。这种办法有时仍是不能维护IGBT,依据IR公司的材料,IR公司引荐的短路维护办法是:首要检测通态压降Vce,假如Vce超越设定值,维护电路马大将驱动电压降为8V,所以IGBT由饱和状态转入放大区,通态电阻增大,短路电路减削,经过4us接连检测通态压降Vce,假如正常,将驱动电压康复正常,假如未康复,将驱动封闭,使集电极电流减为零,这样完成短路电流软关断,能够避免快速关断形成的过大di/dt损坏IGBT,别的依据最新三菱公司IGBT材料,三菱推出的F系列IGBT的均内含过流限流电路(RTCcircuit),如图6,当产生过电流,10us内将IGBT的发动电压减为9V,合作M57160AL驱动厚膜电路能够快速软关断维护IGBT。  ②过电压损坏

  避免过电压损坏办法有:优化主电路的工艺结构,经过缩小大电流回路的途径来减小线路寄生电感;恰当添加IGBT驱动电阻Rg使开关速度减慢(但开关损耗也添加了);规划缓冲电路,对尖峰电压进行按捺。用于缓冲电路中的二极管有必要是快康复的二极管,电容有必要是高频、损耗小,频率特性好的薄膜电容。这样才干获得好的吸收作用。常见电路有耗能式和回馈式缓冲电路。回馈式又有无源式和有源式两种,具体电路规划可拜见所选用器材的技能手册。

  ③桥臂共导损坏

  在UPS中,逆变桥同臂支路两个驱动有必要是互锁的,并且应该设置死区时刻(即一起不导通时刻)。假如产生共导,IGBT会敏捷损坏。在操控电路应该考虑到各种运行状况下的驱动问题操控时序问题。

  ④过热损坏

  可经过降额运用,加大散热器,涂敷导热胶,强制电扇制冷,设置过温度维护等办法来处理过热损坏的问题。此外还要留意装置过程中的静电损坏问题,操作人员、东西有必要进行防静电维护。

  5.定论

  ①IGBT兼具有功率MOSFET和GTR的长处,是UPS中的充电、旁路开关、逆变器,整流器等功率改换的抱负器材。

  ②只要合理运用IGBT,并采纳有用的维护计划,才或许进步IGBT在UPS中的可靠性。

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