一、前言
PMOS是指N型衬底、P沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管，因为PMOS是N型硅衬底，多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。
当PMOS产品达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。本期，合科泰给大家介绍一款P沟道MOS管IRLML6402，它在稳压器、开关电路、电源、电压调节、智能血压计、智能家电等上面有着广泛的应用。
二、IRLML6402的特性
合科泰生产的这款产品是一款低压MOS管，它具有很好的电学特性，IRLML6402具有超低的导通电阻，该MOS管的开启和关闭迅速，它的稳定性和可靠性非常好。它采用P沟道制作，漏源电压-20V，栅源电压±12V，连续漏极电流-3.7A，漏源导通电阻0.065Ω，最小栅极阈值电压-0.4V，最大栅极阈值电压-1.2V，耗散功率1300mW。IRLML6402导电性能优异，响应速度极快，整机重量约0.008克，非常轻巧。这些性能使得IRLML6402在MOS管驱动电路、开关电路、稳压电路等上面具有良好的表现。
这款产品采用了SOT-23封装，SOT23封装是一种非常小型表面贴装封装，SOT23封装产品具有紧凑的尺寸、良好的散热性能，坚固耐用，工作效率很高，为工程师提供了更多灵活性。它的适应性极强，在物联网设备、电源、家电、蓝牙设备、手机、平板等领域应用广泛。SOT23封装的尺寸很小，适用于有限空间的电路设计
