可控硅坏的原因有哪些

　　1、电压击穿

　　可控硅因不能接受电压而损坏，其芯片中有一个光亮的小孔，有时需用扩展镜才干看见。其原因可能是管子自身耐压下降或被电路断开时发作的高电压击穿。

　　2、电流损坏

　　电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其方位在远离操控极上。

　　3、电流上升率损坏

　　其痕迹与电流损坏相同，而其方位在操控极邻近或就在操控极上。

　　4、边际损坏

　　他发作在芯片外圆倒角处，有细微光亮小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制作厂家设备不小心所形成的。它导致电压击穿。

　　怎么维护可控硅不被损坏

　　1、过电压维护

　　晶闸管对过电压很灵敏，当正向电压超越其断态重复峰值电压UDRM必定值时晶闸管就会误导通，引发电路毛病；当外加反向电压超越其反向重复峰值电压URRM必定值时，晶闸管就会当即损坏。因而，有必要研讨过电压的发作原因及按捺过电压的办法。

　　过电压发作的原因首要是供应的电功率或体系的储能发作了剧烈的改变，使得体系来不及转化，或许体系中本来积累的电磁能量来不及散失而形成的。首要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等发作的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰，对晶闸管是很风险的。

　　2、过电流维护

　　因为半导体器材体积小、热容量小，特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器材，结温有必要遭到严厉的操控，否则将遭至完全损坏。当晶闸管中流过大于额定值的电流时，热量来不及发出，使得结温敏捷升高，最终将导致结层被烧坏。

　　发作过电流的原因是多种多样的，例如，变流设备自身晶闸管损坏，触发电路发作毛病，操控体系发作毛病等，以及交流电源电压过高、过低或缺相，负载过载或短路，相邻设备毛病影响等。

　　晶闸管过电流维护办法最常用的是快速熔断器。因为一般熔断器的熔断特性动作太慢，在熔断器没有熔断之前晶闸管已被烧坏；所以不能用来维护晶闸管。快速熔断器由银制熔丝埋于石英沙内，熔断时刻极短，能够用来维护晶闸管。

　　场效应管与可控硅差异