您的位置 首页 基础

规划开关电源时避免EMI的22个办法

作为工作于开关状态的能量转换装置,开关电源的电压、电流变化率很高,产生的干扰强度较大; 干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平

作为作业于开关状况的能量转化设备,开关电源的电压、电流改动率很高,发生的搅扰强度较大; 搅扰源首要会集在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器,相关于数字电路搅扰源的方位 较为清楚;开关频率不高(从几十千赫和数兆赫兹),首要的搅扰方式是传导搅扰和近场搅扰;而印 刷线路板(PCB)走线一般选用手艺布线,具有更大的随意性,这增加了 PCB 散布参数的提取和近场 搅扰估量的难度。

1MHZ 以内—-以差模搅扰为主,增大 X 电容就可处理

1MHZ—5MHZ—差模共模混合,选用输入端并一系列X电容来滤除差摸搅扰并分分出是哪种搅扰超支 并处理;5M—以上以共摸搅扰为主,选用按捺共摸的办法。关于外壳接地的,在地线上用一个磁盘绕 2 圈 会对 10MHZ 以上搅扰有较大的衰减(diudiu2006);关于 25–30MHZ 不过能够选用加大对地 Y 电容、 在变压器外面包铜皮、改动 PCBLAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕 10 圈、在输 出整流管两头并 RC 滤波器。

30—50MHZ 遍及是 MOS 管高速注册关断引起,能够用增大 MOS 驱动电阻,RCD 缓冲电路选用 1N4007 慢管,VCC 供电电压用 1N4007 慢管来处理。

100—200MHZ 遍及是输出整流管反向恢复电流引起,能够在整流管上串磁珠

100MHz-200MHz 之间大部分出于 PFCMOSFET 及 PFC 二极管,现在 MOSFET 及 PFC 二极管串磁 珠有作用,水平方向根本能够处理问题,但笔直方向就很无法了

开关电源的辐射一般只会影响到 100M 以下的频段。也能够在 MOS,二极管上加相应吸收回路,但功率 会有所下降。

规划开关电源时防止 EMI 的办法

1.把噪音电路节点的 PCB 铜箔面积最大极限地减小;如开关管的漏极、集电极,初次级绕组的节点,等。

2.使输入和输出端远离噪音元件,如变压器线包,变压器磁芯,开关管的散热片,等等。

3.使噪音元件(如未遮盖的变压器线包,未遮盖的变压器磁芯,和开关管,等等)远离外壳边际,由于在正常操作下外壳边际很可能接近外面的接地线。

4.假如变压器没有运用电场屏蔽,要坚持屏蔽体和散热片远离变压器。

5.尽量减小以下电流环的面积:次级(输出)整流器,初级开关功率器材,栅极(基极)驱动线路,辅佐整流器。

6.不要将门极(基极)的驱动返馈环路和初级开关电路或辅佐整流电路混在一同。

7.调整优化阻尼电阻值,使它在开关的死区时间里不发生振铃响声。

8.防止 EMI 滤波电感饱满。

9.使拐弯节点和次级电路的元件远离初级电路的屏蔽体或许开关管的散热片。

10.坚持初级电路的摇摆的节点和元件本体远离屏蔽或许散热片。

11.使高频输入的 EMI 滤波器接近输入电缆或许连接器端。

12.坚持高频输出的 EMI 滤波器接近输出电线端子。

13.使 EMI 滤波器对面的 PCB 板的铜箔和元件本体之间坚持必定间隔。

14.在辅佐线圈的整流器的线路上放一些电阻。

15.在磁棒线圈上并联阻尼电阻。

16.在输出 RF 滤波器两头并联阻尼电阻。

17.在 PCB 规划时答应放 1nF/500V 陶瓷电容器或许还能够是一串电阻,跨接在变压器的初级的静端和辅佐绕组之间。

18.坚持 EMI 滤波器远离功率变压器;尤其是防止定位在绕包的端部。

19.在 PCB 面积满足的情况下,可在 PCB 上留下放屏蔽绕组用的脚位和放 RC 阻尼器的方位,RC 阻尼器可跨接在屏蔽绕组两头。

20.空间答应的话在开关功率场效应管的漏极和门极之间放一个小径向引线电容器(米勒电容,10 皮法/1 千伏电容)。

21.空间答应的话放一个小的 RC 阻尼器在直流输出端。

22.不要把 AC 插座与初级开关管的散热片靠在一同。

声明:本文内容来自网络转载或用户投稿,文章版权归原作者和原出处所有。文中观点,不代表本站立场。若有侵权请联系本站删除(kf@86ic.com)https://www.86ic.net/zhishi/jichu/145522.html

为您推荐

联系我们

联系我们

在线咨询: QQ交谈

邮箱: kf@86ic.com

关注微信
微信扫一扫关注我们

微信扫一扫关注我们

返回顶部