硅光电池是什么
硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器材。它的结构很简单，中心部分是一个大面积的PN 结，把一只通明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯（PN结）遭到光照时，你就会看到微安表的表针发作偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多，所以遭到光照时发生的电动势和电流也大得多。
硅光电池的结构及作业原理
硅光电池的结构
运用硅片制成ＰＮ结，在Ｐ型层上贴一栅形电极，Ｎ型层上镀背电极作为负极。电池外表有一层增透膜，以削减光的反射。因为大都载流子的分散，在Ｎ型与Ｐ型层间构成阻挡层，有一由Ｎ型层指向Ｐ型层的电场阻挠大都载流子的分散，可是这个电场却能协助少量载流子通过。当有光照耀时，半导体内发生正负电子对，这样Ｐ型层中的电子分散到ＰＮ结邻近被电场拉向Ｎ型层，Ｎ型层中的空穴分散到ＰＮ结邻近被阻挡层拉向Ｐ区，因而正负电极间发生电流；如中止光照，则少量载流子没有来历，电流就会中止。硅光电池的光谱灵敏度最大值在可见光红光邻近（８００ｎｍ），截止波长为１１００ｎｍ。图２表明硅光电池灵敏度的相对值。
图１ 硅光电池结构
图2 硅光电池的光谱灵敏度
运用时留意，硅光电池质脆，不行用力按压。不要拉动电极引线，避免掉落。电池外表勿用手摸。如需整理外表，可用软毛刷或酒精棉，避免损害增透膜。
硅光电池是一种能将光能直接转换成电能的半导体器材，其结构如图所示。它实质上是一个大面积的半导体PN结。硅光电池的基体资料为一薄片P型单晶硅，其厚度在0.44mm以栅状电极下，在它的外表上运用热分散法生成一层N型受光层，基体和受光层的交接处构成PN结。在N型受光层上制作有栅状负电极，另外在受光面上还均匀掩盖有抗反射膜，它是一层很薄的天蓝色一氧化硅膜，能够使电池对有用人射光的吸收率到达90%以上，并使硅光电池的短路电流添加25%-30%。
硅光电池结构示意图
以硅资料为基体的硅光电池，能够运用单晶硅、多晶硅、非晶硅来制作。单晶硅光电池是现在使用最广的一种，它有2CR和2DR两种类型，其间2CR型硅光电池选用N型单晶硅制作，2DR型硅光电池刚选用P型单晶硅制作。
硅光电池的作业原理是光生伏特效应。当光照耀在硅光电池的PN结区时，会在半导体中激宣布光生电子一空穴对。PN结两头的光生电子一空穴对，在内电场的效果下，归于大都载流子的不能穿越阻挡层，而少量载流子却能穿越阻挡层。成果，P区的光生电子进入N区，N区的光生空穴进入p区，使每个区中的光生电子一空穴对分割开来。光生电子在N区的集结使N区带负电，光生电子在p区的集结使P区带正电。P区和N区之间发生光生电动势。当硅光电池接人负载后，光电流从P区经负载流至NE，负载中即得到功率输出。
硅光电池的电路剖析
如图所示，用两个功能附近的硅光电池作光承受器材，当入射光通量相一起Vo=0，行组织按预订的方法作业。当光路体系略有误差时，两个硅光电池接收到的光通量发作变化，此刻Vo≠0，这一差动输出信号通过扩大即可带动执行组织（例如微型电机）对体系状况进行纠正，直到Vo=0停止，然后到达盯梢的意图。
