场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两品种型（juncTIon FET—JFET）和金属 – 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由大都载流子参加导电，也称为单极型晶体管。它归于电压操控型半导体器材。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态规模大、易于集成、没有二次击穿现象、安全作业区域宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强壮竞争者。
场效应管（FET）是运用操控输入回路的电场效应来操控输出回路电流的一种半导体器材，并以此命名。
场效应管电路图符号
提到场效应管的长相恐怕我就不必贴图了，在电路图中它常用
表明，关于它的结构原理因为比较笼统，咱们是通俗化讲它的运用，所以不去多讲，因为依据运用的场合要求不同做出来的品种繁复，特性也都不尽相同;咱们在mpn中常用的一般是作为电源供电的电控之开关运用，所以需求经过电流比较大，所以是运用的比较特别的一种制作办法做出来了增强型 的场效应管（MOS型），它的电路图符号：
仔细看看你会发现，这两个图好像有不同，对了，这实际上是两种不同的增强型场效应管，第一个那个叫N沟道增强型场效应管，第二个那个叫P沟道增强型场效应管，它们的的效果是刚好相反的。前面说过，场效应管是用电操控的开关，那么咱们就先讲一下怎样运用它来当开关的，从图中咱们能够看到它也像三极管相同有三个脚，这三个脚别离叫做栅极（G）、源极（S）和漏极（D），mpn中的贴片元件示意图是这个姿态：
1脚便是栅极，这个栅极便是操控极，在栅极加上电压和不加上电压来操控2脚和3脚的相通与不相通，N沟道的，在栅极加上电压2脚和3脚就通电了，去掉电压就关断了，而P沟道的刚好相反，在栅极加上电压就关断（高电位），去掉电压（低电位）就相通了！
结型场效应管的结构和符号
结型场效应管是运用半导体内的电场效应作业的，分N沟道和P沟道两种。在一块N型半导体的两边别离分散出两个P型区，构成两个PN结，将两个P型区衔接后构成一个电极G称为栅极，从N型半导体的上下两头各引出一个电极，其间S称为源极，D称为漏极，因为D、S间存在电流通道，故称为N沟道结型场效应管。P沟道结型场效应管的结构与N沟道型相似，它们的结构和电路符号如图所示。
绝缘栅型场效应管结构和符号
绝缘栅型场效应管是一种运用半导体外表的电场效应，由感应电荷的多少改动导电沟道来操控漏极电流的器材，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于1000000000Ω。
增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS效果下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS效果下iD。
1. 结构和符号（以N沟道增强型为例）
在一块浓度较低的P型硅上分散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体外表掩盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
N沟道绝缘栅型场效应管结构动画
其他MOS管符号
