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光耦的技术参数

本站为您提供的光耦的技术参数,本文主要介绍了光耦的技术参数。

  光耦的技能参数

  一、输入特性

  光耦合器的输入特性实践也便是其内部发光二极管的特性。常见的参数有:

  1. 正向作业电压Vf(Forward Voltage)Vf是指在给定的作业电流下,LED自身的压降。常见的小功率LED一般以If=20mA来测验正向作业电压,当然不同的LED,测验条件和测验成果也会不一样。

  2. 反向电压Vr(Reverse Voltage )

  是指LED所能接受的最大反向电压,超越此反向电压,可能会损坏LED。在运用沟通脉冲驱动LED时,要特别注意不要超越反向电压。

  3. 反向电流Ir(Reverse Current)

  一般指在最大反向电压情况下,流过LED的反向电流。

  4. 答应功耗Pd(Maximum Power Dissipation)

  LED所能接受的最大功耗值。超越此功耗,可能会损坏LED。

  5. 中心波长λp(Peak Wave Length)

  是指LED所宣布光的中心波长值。波长直接决议光的色彩,关于双色或多色LED,会有几个不同的中心波长值。

  6. 正向作业电流If(Forward Current)

  If是指LED正常发光时所流过的正向电流值。不同的LED,其答应流过的最大电流也会不一样。

  7. 正向脉冲作业电流Ifp(Peak Forward Current)

  Ifp是指流过LED的正向脉冲电流值。为确保寿数,一般会选用脉冲方式来驱动LED,一般LED规范书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度,占空比为1/10的脉冲电流来核算的。

  二、输出特性

  光耦合器的输出特性实践也便是其内部光敏三极管的特性,与一般的三极管相似。常见的参数有:

  1. 集电极电流Ic(Collector Current)

  光敏三极管集电极所流过的电流,一般表明其最大值

  2. 集电极-发射极电压Vceo(C-E Voltage)

  集电极-发射极所能接受的电压。

  3. 发射极-集电极电压Veco(E-C Voltage)

  发射极-集电极所能接受的电压

  4. 反向截止电流Iceo

  5. C-E饱满电压Vce(sat)(C-E SaturaTIon Voltage)

  四、传输特性:

  1.电流传输比CTR(Current Transfer Radio)

  2.上升时刻Tr (Rise TIme)& 下降时刻Tf(Fall TIme)

  其它参数比如作业温度、耗散功率等不再一一敷述。

  三、阻隔特性

  1.入出间阻隔电压Vio(IsolaTIon Voltage)

  光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

  2.入出间阻隔电容Cio(Isolation Capacitance):

  光耦合器材输入端和输出端之间的电容值

  3.入出间阻隔电阻Rio:(Isolation Resistance)

  半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。光耦合器的技能参数首要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱满压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时刻、下降时刻、延迟时刻和存储时刻等参数。

  电流传输比是光耦合器的重要参数,一般用直流电流传输比来表明。当输出电压坚持恒守时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。

  运用光电耦合器首要是为了供给输入电路和输出电路间的阻隔,在规划电路时,有必要遵从下列准则:所选用的光电耦合器材有必要契合国内和世界的有关阻隔击穿电压的规范;由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国FAIRCHILD出产的4N××系列(如4N25、4N26、4N35)光耦合器,在国内应用地非常遍及。能够用于单片机的输出阻隔;所选用的光耦器材有必要具有较高的耦合系数。

  以下为光电耦合器的常用参数:

  反向电流IR:在被测管两头加规则反向作业电压VR时,二极管中流过的电流。

  反向击穿电压VBR:被测管经过的反向电流IR为规则值时,在南北极间所发生的电压降。

  正向压降VF:二极管经过的正向电流为规则值时,正负极之间所发生的电压降。

  正向电流IF:在被测管两头加必定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ:在规则偏压下,被测管两头的电容值。

  反向击穿电压V(BR)CEO:发光二极管开路,集电极电流IC为规则值,集电极与发射集间的电压降。

  输出饱满压降VCE(sat):发光二极管作业电流IF和集电极电流IC为规则值时,并坚持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技能条件中规则)集电极与发射极之间的电压降。

  反向截止电流ICEO:发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规则值时,流过集电极的电流为反向截止电流。

  电流传输比CTR:输出管的作业电压为规则值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

  脉冲上升时刻tr,下降时刻tf:光耦合器在规则作业条件下,发光二极管输入规则电流IFP的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输出脉冲前沿起伏的10%到90%,所需时刻为脉冲上升时刻tr。从输出脉冲后沿起伏的90%到10%,所需时刻为脉冲下降时刻tf。

  传输延迟时刻tPHL,tPLH:从输入脉冲前沿起伏的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时刻为传输延迟时刻tPHL。从输入脉冲后沿起伏的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时刻为传输延迟时刻tPLH。

  入出间阻隔电容CIO:光耦合器材输入端和输出端之间的电容值。入出间阻隔电阻RIO:半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间阻隔电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.

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