加州大学和微软的研讨发现，跟着芯片尺度缩小，NAND Flash记忆体会呈现明显的功能退化。当电路尺度从今天的25nm缩小到6.5nm，SSD的推迟会添加一倍。
加州大学的研讨生Laura Grupp说，他们测试了7家SSD供货商的45种不同类型NAND Flash芯片，这些芯片采用了72nm到25nm的光刻工艺，发现芯片尺度缩小伴跟着功能退化和错误率添加。TLC (三层存储单元)NAND的功能最差，之后是MLC(双层存储单元)NAND和SLC(单层存储单元)NAND。研讨人员说，因为功能退化，根据MLC NAND的固态硬盘难以超越4TB，根据TLC NAND的固态硬盘难以打破16TB，因而固态硬盘的未来之路可能在2024年到头。
