太阳能电池的资料
简略的说便是由单晶硅和多晶硅组成的。
详细点则如下：
硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转化功率最高，技能也最为老练。高功能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅资料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近老练，在电池制造中，一般都选用外表织构化、发射区钝化、分区掺杂等技能，开发的电池首要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。进步转化功率首要是靠单晶硅外表微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能体系研讨所保持着国际领先水平。该研讨所选用光刻照相技能将电池外表织构化，制成倒金字塔结构。并在外表把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合．经过改进了的电镀进程添加栅极的宽度和高度的比率：经过以上制得的电池转化功率超越23%，是大值可达23．3％。Kyocera公司制备的大面积（225cm2）单电晶太阳能电池转化功率为19．44%，国内北京太阳能研讨所也活跃进行高效晶体硅太阳能电池的研讨和开发，研发的平面高效单晶硅电池（2cm X 2cm）转化功率到达19.79%，刻槽埋栅电极晶体硅电池（5cm X 5cm）转化功率达8.6%。
单晶硅太阳能电池转化功率无疑是最高的，在大规模运用和工业生产中仍占有主导地位，但因为受单晶硅资料价格及相应的繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅本钱价格居高不下，要想大幅度下降其本钱是十分困难的。为了节约高质量资料，寻觅单晶硅电池的代替产品，现在开展了薄膜太阳能电
池，其间多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池便是典型代表。
1．2 多晶硅薄膜太阳能电池
一般的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因而实践耗费的硅资料更多。为了节约资料，人们从70年代中期就开端在廉价衬底上堆积多晶硅薄膜，但因为成长的硅膜晶粒大小，未能制成有价值的太阳能电池。为了取得大尺度晶粒的薄膜，人们一向没有中止过研讨，并提出了许多方法。现在制备多晶硅薄膜电池多选用化学气相堆积法，包含低压化学气相堆积（LPCVD）和等离子增强化学气相堆积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE）和溅射堆积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。
化学气相堆积首要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,为反响气体,
在必定的维护气氛下反响生成硅原子并堆积在加热的衬底上，衬底资料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研讨发现，在非硅衬底上很难构成较大的晶粒,而且简单在晶粒间构成空地。处理这一问题方法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上堆积厚的多晶硅薄膜，因而，再结晶技能无疑是很重要的一个环节，现在选用的技能首要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除选用了再结晶工艺外，别的选用了简直一切制备单晶硅太阳能电池的技能，这样制得的太阳能电池转化功率明显进步。德国费莱堡太阳能研讨所选用区馆再结晶技能在FZ Si衬底上制得的多晶硅电池转化功率为19％，日本三菱公司用该法制备电池，功率达16.42%。
液相外延（LPE）法的原理是经过将硅熔融在母体里，下降温度分出硅膜。美国Astropower公司选用LPE制备的电池功率达12．2％。我国光电开展技能中心的陈哲良选用液相外延法在冶金级硅片上成长出硅晶粒，并规划了一种类似于晶体硅薄膜太阳能电池的新式太阳能电池，称之为“硅粒”太阳能电池，但有关功能方面的报导还未见到。
多晶硅薄膜电池因为所运用的硅远较单晶硅少，又无功率阑珊问题，而且有可能在廉价衬底资料上制备，其本钱远低于单晶硅电池，而功率高于非晶硅薄膜电池，因而，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占有主导地位。
