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ADG1201双电源模仿开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG1201相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,ADG1201供应信息可在查IC网搜索

ADG1201相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,ADG1201供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

ADG1201/ADG1202是单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器材,内置一个选用iCMOS®(工业CMOS)工艺规划的单刀单掷(SPST)开关。iCMOS是一种模块式制作工艺,集高电压CMOS与双极性技能于一体。使用这种工艺,能够开发作业电压达33 V的各种高功能模仿IC,并完成以往的高压器材所无法完成的尺度。与选用传统CMOS工艺的模仿IC不同iCMOS器材不光能够接受高电源电压,一起还能提高功能、大幅下降功耗并减小封装尺度。

这些开关具有超低电容和电荷注入特性,因此是要求低突波和快速树立时刻的数据收集与采样坚持使用的抱负解决方案。较快的开关速度及高信号带宽,使这些器材合适视频信号切换使用。

iCMOS结构可保证功耗极低,因此这些器材十分合适便携式电池供电外表。ADG1201/ADG1202内置一个单刀单掷(SPST)开关。图1显现,当逻辑输入为1时,ADG1201开关闭合,ADG1202开关则断开。当接通时,各开关在两个方向的导电功能相同,输入信号规模可扩展至电源电压规模。在断开条件下,等于电源电压的信号电平被阻挠。

产品聚集

  1. 超低电容
  2. 电荷注入小于1 pC
  3. 超低走漏
  4. 3 V逻辑兼容数字输入:VIH = 2.0 V,VIL = 0.8 V
  5. 无需VL逻辑电源
  6. SOT-23封装

使用

  • 自动测试设备
  • 数据收集体系
  • 电池供电体系
  • 采样坚持体系
  • 音频信号路由
  • 视频信号路由
  • 通讯体系
  • 数据手册,Rev. 0,2/08

    优势和特色

    • 2.4 pF关断电容
    • 电荷注入小于1 pC
    • 低走漏:0.6 nA(最大值,85°C)
    • 导通电阻:120 Ω
    • 额外电源电压:±15 V、+12 V
    • 无需VL 电源
    • 3 V逻辑兼容输入
    • 轨到轨作业
    • 6引脚SOT-23封装

    ADG1201电路图

    ADG1201

    ADG1201中文PDF下载地址

    ADG1201下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADG1201.pdf

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