晶体管首要参数
晶体管的首要参数有电流扩大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。
※ 电流扩大系数
电流扩大系数也称电流扩大倍数，用来表明晶体管扩大才能。
依据晶体管作业状况的不同，电流扩大系数又分为直流电流扩大系数和沟通电流扩大系数。
1、直流电流扩大系数 直流电流扩大系数也称静态电流扩大系数或直流扩大倍数，是指在静态无改变信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表明。
2、沟通电流扩大系数 沟通电流扩大系数也称动态电流扩大系数或沟通扩大倍数，是指在沟通状况下，晶体管集电极电流改变量△IC与基极电流改变量△IB的比值，一般用hfe或β表明。
hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较挨近，在高频时有一些差异。
耗散功率
耗散功率也称集电极最大答应耗散功率PCM，是指晶体管参数改变不超越规则答应值时的最大集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的最高答应结温文集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实践功耗不答应超越PCM值，否则会形成晶体管因过载而损坏。
一般将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
频率特性
晶体管的电流扩大系数与作业频率有关。若晶体管超越了其作业频率规模，则会呈现扩大才能削弱乃至失掉扩大效果。
晶体管的频率特性参数首要包含特征频率fT和最高振动频率fM等。
1、特征频率fT 晶体管的作业频率超越截止频率fβ或fα时，其电流扩大系数β值将跟着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的作业频率。
一般将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。
2、最高振动频率fM 最高振动频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
一般，高频晶体管的最高振动频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。
集电极最大电流ICM
集电极最大电流是指晶体管集电极所答应经过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超越ICM时，晶体管的β值等参数将发作明显改变，影响其正常作业，乃至还会损坏。
最大反向电压
最大反向电压是指晶体管在作业时所答应施加的最高作业电压。它包含集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。
1、集电极——集电极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大答应反向电压，一般用VCEO或BVCEO表明。
2、基极—— 基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大答应反向电压，用VCBO或BVCBO表明。
3、发射极——发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大答应反向电压，用VEBO或BVEBO表明。
反向电流
晶体管的反向电流包含其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。
1．集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较灵敏，该值越小，阐明晶体管的温度特性越好。
2．集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，阐明晶体管的功能越好。
