1 光耦合器的类型及功能特色
1.1 光耦合器的类型
光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装方式，其品种达数十种。光耦合器的分类及内部电路如图1所示。图中是8种典型产品的类型：(a)通用型(无基极引线)；(b)通用型(有基极引线)；(c)达林顿型；(d)高速型；(e)光集成电路；(f)光纤型；(g)光敏晶闸管型；(h)光敏场效应管型。
1.2 光耦合器的功能特色
光耦合器的首要长处是单向传输信号，输入端与输出端彻底完成了电气阻隔，抗干扰能力强，运用寿命长，传输效率高。它广泛用于电平转化、信号阻隔、级间阻隔 、开关电路、远距离信号传输、脉冲扩大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通讯设备及微机接口中。在单片开关电源中，使用线性光耦合器可构成光耦反应电路，经过调理操控端电流来改动占空比，到达精细稳压意图。
1.3 光耦合器的技能参数
首要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱满压降VCE(sat)。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时刻、下降时刻、延迟时刻和存储时刻等参数。
常用参数：
正向压降VF：二极管经过的正向电流为规则值时，正负极之间所发生的电压降。
正向电流IF：在被测管两头加必定的正向电压时二极管中流过的电流。
反向电流IR：在被测管两头加规则反向作业电压VR时，二极管中流过的电流。
反向击穿电压VBR：：被测管经过的反向电流IR为规则值时，在南北极间所发生的电压降。
结电容CJ：在规则偏压下，被测管两头的电容值。
反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规则值，集电极与发射集间的电压降。
输出饱满压降VCE(sat)：发光二极管作业电流IF和集电极电流IC为规则值时，并坚持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技能条件中规则）集电极与发射极之间的电压降。
反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规则值时，流过集电极的电流为反向截止电流。
电流传输比CTR：输出管的作业电压为规则值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。
脉冲上升时刻tr、下降时刻tf：光耦合器在规则作业条件下，发光二极管输入规则电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿起伏的10%到90%，所需时刻为脉冲上升时刻tr。从输出脉冲后沿起伏的90%到10%，所需时刻为脉冲下降时刻tf。
传输延迟时刻tPHL、tPLH：光耦合器在规则作业条件下，发光二极管输入规则电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿起伏的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时刻为传输延迟时刻tPHL。从输入脉冲后沿起伏的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时刻为传输延迟时刻tPLH。
入出间阻隔电容CIO：光耦合器材输入端和输出端之间的电容值。
入出间阻隔电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。
入出间阻隔电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。?
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表明。当输出电压坚持恒守时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
选用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的规模大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲取得相同的输出电流，后者只需较小的输入电流。因而，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与一般光耦合器典型的CTR-IF特性曲线，别离如图2中的虚线和实线所示。
图一 最常用的光电耦合器之内部结构图 三极管接纳型 4脚封装
图二 光电耦合器之内部结构图 三极管接纳型 6脚封装
图三 光电耦合器之内部结构图 双发光二极管输入 三极管接纳型 4脚封装
图四 光电耦合器之内部结构图 可控硅接纳型 8脚封装
图五 光电耦合器之内部结构图 双二极管接纳型 6脚封装
一般光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严峻，因而它不合适传输模仿信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有杰出的线性度，特别是在传输小信号时，其沟通电流传输比(ΔCTR＝ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因而，它合适传输模仿电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。
