微处理器电路首要完结通讯、数据处理、功用操控、人机交互等作业。首要由TMS320F2812、晶体振荡器、电源操控、WATCHDOG等器材组成。其间晶体振荡器、电源操控和WATCHDOG是TMS320F2812能够正常运转的确保；DSP芯片合作完结各种操控使命。
电源办理电路规划
TMS320F2812的作业电压分为两组，一组是供CPU内核运用的1.8V的VCCCORE，规划上选用TPS76718电源办理芯片，将+5V的电压变换为+1.8V；另一组是供I/O口运用的3.3V的VCCIO，选用TI公司的TPS76733电源办理芯片将+5V电压变为+3.3V。电源办理电路图如图5-3所示。
在规划DSP芯片与其它外围芯片的接口时，假如外围芯片的作业电压也是3.3V，那么就能够直接衔接。可是现在许多外围芯片的作业电压都是5V，为了使3.3V芯片与这些5V供电芯片牢靠接口，应根据各种电平的转化规范来规划。当电平转化规范不一致或许因为接受电压的约束而不能直接相接时，需求在两者之间添加一个缓冲器材。本论文选用TI公司的74ALVC164245作为缓冲器材来规划两者的接口。它选用3.3V和5V双电压供电。除上述电路阐明外，其它衔接首要有：对一些未运用的输入引脚接10k或20k上拉电阻或下拉电阻使其电平状况安稳；对要进行功用切换的引脚加跳线以备挑选。
外部扩展存储器电路规划
TMS320F2812为哈佛结构的DSP，在逻辑上有4M×16位程序空间和4M×16位数据空间，但物理上已将程序空间和数据空间一致为一个4M×16位的存储空间。外部存储器接口包含：19位地址线，16位数据线、3个片选及读/写操控线。这3个片选线映射到5个外部存储区域，Zone0、1、2、6和7。这5个存储区域能够别离设置为不同的等候周期。其间Zone 0存储区域：0X002000-0X003FFF，8K×16位；Zone 1存储区域：0X004000-0X005FFF，8K×16位；Zone 2存储区域：0X080000-0X0FFFFF，512K×16位；Zone 6存储区域：0X100000-0X17FFFF，512K×16位； Zone 7存储区域：0X3FC00-0X3FFFFF，16K×16位。
为满意体系扩展的需求，体系外扩有8M的FLASH和8M的高速SRAM。外扩FLASH芯片选用SST公司的SST39VF800A 512K×16多用途FLASH，可用来存储数据和程序。FLASH被映射到F2812的Zone 2存储空间中，地址空间为0X080000-0X0FFFFF。SRAM芯片选用IS61LV51216高速、8M SRAM。SRAM映射到F2812的Zone 6存储空间中，地址空间为0X100000-0X17FFFF。外扩存储器与TMS320F2812的XINTF接口电路如图5-4所示。
详细的运用情况是：
片内SARAM Ml寄存扫描按键值规模0x000400-0x00040A；片内SARMA L0寄存AD转化后的采样值规模0x008000-0x0080FF；片内FLASH寄存程序代码规模0x3D8000-0x3F7FFF；片内FLASH寄存核算后的测量值规模0x080100-0x0FFFFF。
