您的位置 首页 设计

LTC4444-5高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

LTC4444-5相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,LTC4444-5供应信息可在查I

LTC4444-5相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,LTC4444-5供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

LTC®4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强壮的驱动才能降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。

LTC4444-5 针对两个与电源无关的输入进行装备。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源能够在高出地电位达 114V 的电压条件下运转。

LTC4444-5 包括欠压闭锁电路,用于在器材启动时停用外部 MOSFET。LTC4444-5 还内置了自适应贯穿维护功用,用于阻挠两个 MOSFET 一起传导。

如需了解该产品系列的类似驱动器,请查阅下表。

参数 LTC4444-5 LTC4446 LTC4444
贯穿维护功用
肯定最大TS 100V 100V 100V
MOSFET 栅极驱动电压 4.5V 至 13.5V 7.2V 至 13.5V 7.2V 至 13.5V
VCC UV+ 4V 6.6V 6.6V
VCC UV 3.5V 6.15V 6.15V

使用

  • 分布式电源架构
  • 轿车电源
  • 高密度电源模块
  • 电信体系

 

优势和特色

  • 自举电源电压至 114V
  • 宽 VCC 电压:4.5V 至 13.5V
  • 自适应贯穿维护功用
  • 1.4A 峰值顶端栅极上拉电流
  • 1.75A 峰值底端栅极上拉电流
  • 1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
  • 0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
  • 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
  • 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
  • 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
  • 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
  • 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
  • 欠压闭锁功用
  • 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

 

LTC4444-5电路图

LTC4444-5

LTC4444-5中文PDF下载地址

LTC4444-5下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/44445fc.pdf

声明:本文内容来自网络转载或用户投稿,文章版权归原作者和原出处所有。文中观点,不代表本站立场。若有侵权请联系本站删除(kf@86ic.com)https://www.86ic.net/ziliao/sheji/39749.html

为您推荐

联系我们

联系我们

在线咨询: QQ交谈

邮箱: kf@86ic.com

关注微信
微信扫一扫关注我们

微信扫一扫关注我们

返回顶部