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LTC4229PowerPath、抱负二极管和负载开关参数介绍及中文PDF下载

LTC4229相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,LTC4229供应信息可在查IC网搜索

LTC4229相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,LTC4229供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

LTC®4229 经过操控两个外部 N 沟道 MOSFET 为一个电源轨供给了抱负二极管和热插拔 (Hot Swap) 功用。起抱负二极管效果的 MOSFET 代替了一个高功率肖特基二极管及相关联的散热器,然后节省了功率和电路板面积。热插拔MOSFET 操控经过约束浪涌电流而答应在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。别的,还使用快速动作折返电流约束和电子电路断路器对电源输出供给了针对短路毛病的维护。

LTC4229 可调理外部 MOSFET 两头的正向压降,以保证在二极管“或”使用中完成滑润的电流搬运。抱负二极管快速接通以减小电源切换期间的负载电压降。假使输入电源发作毛病或许短路,则快速关断可以最大极限地减小反向瞬态电流。

LTC4229 供给了可调发动推迟、欠压和过压维护,并可陈述电源的毛病及杰出运转状况。该器材可装备为在遇到毛病之后履行锁断或主动重试操作。

使用

  • 冗余电源
  • 电源坚持
  • 高可用性体系和服务器
  • 电信和网络基础设施
  • 电源优先级排序器

优势和特色

  • 用于冗余电源的抱负二极管和浪涌电流操控
  • 功率肖特基二极管的低损耗代替计划
  • 可维护输出电压免受输入欠压的影响
  • 答应在带电背板上安全地进行热插拔操作
  • 2.9V 至 18V 工作范围
  • 可操控背对背 N 沟道 MOSFET
  • 可在 ≤1μs 的时刻里完成对峰值毛病电流的约束
  • 具折返的可调电流限值
  • 可调的发动和电流约束毛病推迟
  • 0.5μs 的抱负二极管接通和关断时刻
  • 欠压和过压维护
  • 状况、毛病和电源杰出输出
  • 在发作毛病之后履行锁断或主动重试操作 (可经过引脚来挑选)
  • 24 引脚 4mm x 5mm QFN 封装和 SSOP 封装

LTC4229电路图

LTC4229

LTC4229中文PDF下载地址

LTC4229下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/4229f.pdf

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