在看到MOSFET数据表时，你必定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一望而知(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷)，其它的一些参数会十分的含糊不清、不置可否(IDA、SOA曲线)，而其它的某些参数从头到尾就毫无用处(比如说：开关时间)。在这个行将开端的博文系列中，咱们将试着破解FET数据表，这样的话，读者就能够很轻松地找到和区分那些关于他们的运用来说，是最常见的数据，而不会被不同的生产商为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所欺骗。
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值
自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛运用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就现已被证明是一个十分有用的参数。虽然不主张在实践运用中运用FET的重复雪崩，工程师们现已学会了用这个衡量规范在拟定新器材开发计划时防止那些有或许导致问题的软弱器材。在温度范围内具有特别单薄UIS才能或许产生严峻降级的器材(25°C至125°C之间大于30%)应当被制止，因为这些器材会更简单遭到毛病的影响。规划人员也应该对制造商在额定值上捣乱，夸张他们的FET雪崩才能而感到厌烦。
UIS测验由图1中所示的测验电路履行。在FET封闭时，其上施加了一个电源电压，然后查看器材上是否有走漏。在FET接通时，电感器电流安稳添加。当到达所需的电流时，FET被封闭，FET上的Ldi/dt电压摆幅在MOSFET击穿电压之上，然后激活了其内涵的寄生双极晶体管，并在FET上呈现有用的雪崩效应。这项测验重复进行，电流逐步添加，直到开端的走漏测验失利，标明器材已被损坏。
图1—UIS测验电路
方程式E = ½ LI2 核算的是FET的雪崩能量。这是测验的开端。经过改动电感器尺度，你能够更改受测器材上施加的应力。能够预见的是，电感器越大，损坏FET所需的UIS电流越低。但是，这个较小的电流不会被方程式(用于核算雪崩能量)中电感器添加的尺度抵消，这样的话，虽然电流减少了，这个值实践上是添加了。表1中说明晰这个联系，其间列出了从测验中的TI CSD18502KCS 60V NexFET™ 功率MOSFET器材中收集的数据。
表1—雪崩能量 (EAS) 和电流 (UIS) 与电感器之间的联系
在电路中运用最小电感器时 (0.1mH)，会呈现应力最大、电流最高的测验。TI运用0.1mH电感器来测验一切行将投入量产的器材，而且在FET数据表内给出与之相关的能量值。但是，因为没有针对这个值的硬性行业规范，因而，为了使他们的器材看起来如同具有较高的雪崩能量才能，某些厂商将在他们的UIS测验中运用较大的电感器。因而，规划人员在处理雪崩额定值时要当心，而且必定要在比较不同供货商的FET之前问询UIS测验条件。
在“看懂MOSFET数据表”的第2部分，我会解说一切FET数据表中都会呈现的安全作业区 (SOA) 图，而且举例说明TI怎么取得安全作业区图制作所需的数据。与此同时，请观看视频“NexFET™：世界上最低Rdson 80和100V TO-220 MOSFET”，并在下次规划中考虑运用TI的NexFET功率MOSFET产品。
