本站为您提供的工程师不可不知的电子管“管常识”，本站网讯： 电子管 ，是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器(一般为玻璃管)中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极(屏极)引线被焊在管坐上。利用电场
Stratix 10 SoC FPGA器件案例（应用、特性、电路图）-Intel公司的Stratix 10 SoC FPGA系列采用14nm三栅极(FinFET)和异构三维封装系统工艺技术,比以前高性能SoC FPGA提供2x核性能和节省多达70%的功耗, 单片核架构多达550万个逻辑单源(LE),多达96个全双工收发器通路,收发器数据速率高达28.3Gbps,嵌入eSRAM (45 Mbit)和M20K (20 kbit)SRAM存储器区块,基于PLL的分数合成和超低抖动LC振荡器,硬PCI Express Gen3 x16 IP区块,每个收发器通路中有硬10GBASE-KR/40GBASE-KR4 FEC,每个引脚的硬存储器控制器和PHY支持DDR4速率高达2666Mbps,以及硬定点和IEEE 754兼容
飞思卡尔S12ZVM混合集成芯片在车用BLDC中的应用-飞思卡尔S12ZVM系列是具有突破性的技术，它将MCU、MOSFET栅极驱动单元、电压调节器和本地互联网络 （LIN） 物理层这四个系统元素结合到一个单芯片解决方案中。
电子管放大器的工作状态决定于放大器栅极电路中所加栅偏压Eg的大少，见图Z，改变栅偏压Eg，阳极电流中的直流分量就要发生变化。当栅极偏压Eg等于截止栅压Ug0的一半时，在交流信号变化的整个周期内均有阳极
在我的上一篇关于EE时代的电源技巧博文中，我讨论了如何使用一个双开关反激式电路来提升低功耗隔离式转换器的效率。与单开关反激式电路相比，双开关反激式电路的主要代价就是需要一个浮动的高侧驱动。一个栅极驱动
摘要：分析新型SiC功率器件在实际应用中的基本特性，以升压斩波电路为载体，通过理论分析对SiC MOSFET栅极电阻对开关特性的影响，以及开关频率与传输效率的关系进行了阐述。同时，以SiC MOS
概述图1所示为完整的输出锁定过流故障检测器电路。上电后，比较器输出COUT的电压接近0V。由Q2和Q3组成的同相缓冲器确保Q1 (具有非常低的导通阻抗、低门限电压的p沟道功率MOSFET)的栅极完全导
2输入端CMOS与非门电路，其中包括两个串联的N沟道增强型MOS管和两个并联的P沟道增强型MOS管。每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。当输入端A、B中只要有一个为低电平时，就会使与它
