IBM公司体系与技能集团的首席技能官Jai Menon最近称非易失性相变内存(PCM)技能的芯片尺度微缩才能将逾越惯例闪存芯片，并会在3-5年内涵服务器机型上投入运用。Menon称IBM将持续开发自有PCM技能专利，不过专利开发完结后，IBM会寻觅有才能为IBM制作PCM存储芯片的代工厂商并进行技能授权，最终再将代工厂出产的PCM 芯片用于IBM自己的服务器体系产品上。
在承受EEtimes网站记者访谈时，Menon表明IBM十分看好PCM技能在未来3-5年内的发展势头，并且这种技能很可能会在服务器领域代替现有的闪存技能。现在服务器应用领域出于节能的需求，正在逐渐引进选用闪存芯片制作的存储设备。Menon并表明，PCM的下一步，IBM开发的赛道式磁存储技能则将取而代之。
不过，他表明PCM要走向有用还有许多问题需求处理。Menon在访谈中并没有介绍IBM是怎么处理PCM存储体的耐热性问题，这个问题在 IBM的工程师在本年的VLSI技能年会上宣布的一篇PCM存储单元用铜离子导电体的文章中有所提及，这种导电体面向的是堆叠式的结构，因而其受热环境更为恶劣。
PCM技能的原理是经过运用电加热技能改动存储资料的晶相，由此改动其电阻值来存储数据。由于相变资料状况的稳定性高，结构尺度易于微缩，因而十分合适用作非易失性存储器，乃至大有代替DRAM存储器的态势。不过由于PCM技能难于完结商业化出产，并且即使选用65/90nm制程制作的根据这种技能的产品真的能投放市场，其存储密度比较惯例闪存是否具有满意的优势也很成问题，现在惯例闪存的制程现已进化到了22nm制程。
除了PCM技能自身之外，Menon还表明IBM现在正在活跃在新资料研制，3D封装技能以及存储单元结构技能方面进行研制，”咱们坚信PCM将在尺度微缩方面比较闪存芯片具有必定的优势，由于闪存技能发展到22nm制程以下后会遇到许多问题。“
PCM的耐久性方面，Menon则以为，从读写周期数的视点看，PCM的耐久性将能介于闪存和内存芯片之间。他说：”合作各种耐久性增强技能后，DRAM的耐久性可在10^12次左右，闪存则在10^4-10^5次左右。而咱们以为PCM芯片的耐久性则可高于10^5次，并且这个数字还会添加，不过会无法打破10^12次，但其耐久性应足可满意内存的需求，假如最终一条无法到达，那么至少咱们还能够把PCM用作外存设备。PCM的功能将可迫临DRAM，当然它无法到达DRAM的功能等级，读写速度会比DRAM慢3-10倍左右，不过咱们会开发其它的技能来补偿和缩小速度方面的缺点。“
虽然Menon供认PCM的开发会遇到许多需求战胜的问题，但他以为自己手下的工程师彻底有才能处理这些问题：”(PCM)还有一些根本的问题需求处理,别的制作PCM芯片所用的资料也需求做进一步研讨，不同的资料配比会导致功能的纤细差异。因而我以为大概在2014年左右消费级电子市场上会首要呈现PCM芯片的身影。“
当被问及IBM是否会自行设计并自行出产制作自己的PCM产品元件，或许会寻求代工商为其代工时，Menon表明：”这算事务领域的问题了。我的观点是咱们很可能会寻求芯片代工商，也就是说咱们会完结技能的技能研制，然后将有关的技能授权给代工商进行出产。
