在直流测验中,激光二极管或VCSEL模组的要害技术参数如下:
•激光二极管正向压降
• 拐点测验/线性度测验(dL/dI)
• 阈值电流
•背光勘探二极管反向偏置电压
•背光勘探二极管电流
•背光勘探二极管暗电流
•光输出功率
经过LIV测验扫描,能够完结大都最常见的直流特性丈量。这种快速且廉价的直流测验可在测验进程的前期提前确认失效的组件,随后贵重的非直流域测验体系能够更经济地对剩余的高产率元器件进行测验。图1显现了LIV测验扫描的根本仪器装备。
图1
LIV丈量框图
在直流测试中,激光二极管或VCSEL模组的关键技术参数如下:bull;激光二极管正向压降bull;拐点测试线性度测试(dLdI)bull;阈值电流b
在直流测验中,激光二极管或VCSEL模组的要害技术参数如下:
•激光二极管正向压降
• 拐点测验/线性度测验(dL/dI)
• 阈值电流
•背光勘探二极管反向偏置电压
•背光勘探二极管电流
•背光勘探二极管暗电流
•光输出功率
经过LIV测验扫描,能够完结大都最常见的直流特性丈量。这种快速且廉价的直流测验可在测验进程的前期提前确认失效的组件,随后贵重的非直流域测验体系能够更经济地对剩余的高产率元器件进行测验。图1显现了LIV测验扫描的根本仪器装备。
图1
LIV丈量框图