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纳米丈量的基本原理

对纳米元器件的电测量——电压、电阻和电流——都带来了一些特有的困难,而且本身容易产生误差。研发涉及量子水平上的材料与元器件,这也给…

对纳米元器件的电丈量——电压、电阻和电流——都带来了一些特有的困难,并且自身简单产生差错。研制触及量子水平上的资料与元器件,这也给人们的电学丈量作业带来了种种约束。在任何丈量中,灵敏度的理论极限是由电路中的电阻所产生的噪声来决议的。电压噪声[1]与电阻的方根、带宽和绝对温度成正比。高的源电阻约束了电压丈量的理论灵敏度[2]。尽管彻底可能在源电阻抗为1W的情况下对1mV的信号进行丈量,但在一个太欧姆的信号源上丈量相同的1mV的信号是实际的。即便源电阻大幅下降至1MW,对一个1mV的信号的丈量也接近了理论极限,因而要运用一个一般的数字多用表(DMM)进行丈量将变得好不容易。

除了电压或电流灵敏度不够高之外,许多DMM在丈量电压时的输入偏移电流很高,而相对于那些纳米技术[3]常常需求的、灵敏度更高的低电平DC丈量仪器[4]而言,DMM的输入电阻又过低。这些特色增加了丈量的噪声,给电路带来不必要的搅扰,然后形成丈量的差错。

体系建立结束后,有必要对其功能进行校验,并且消除潜在的差错源。差错的来历能够包含电缆、连接线、探针[5]、沾污和热量。下面的章节中将对下降这些差错的一些途径进行讨论。

安全一直是有必要仔细考虑的问题。电丈量东西会输出有风险的、乃至是丧命的电压和电流。清楚仪器运用中何时会产生这些景象显得极为重要,只要这样人们才干采纳恰当的安全防备手法。请仔细阅览并遵照各种东西顺便的安全指示。

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