STM32的DS18B20的驱动移植

把DS18B20的驱动移植到STM32上来

下面说下几个要害点吧：

首先是延时的问题，STM32上若用软件延时的话不太好算时刻，所以要么用定时器要么用SysTick这个定时器来完结延时的核算。相比之下用SysTick来的简略便利点。

接着是STM32 IO脚的装备问题，由于51是双向的IO，所以作为输入输出都比较便利。STM32的IO是准双向的IO，网上查了下材料，说将STM32的IO装备成开漏输出，然后外接上拉即可完结双向IO。所以我也按规则做了，但调了老半天都不成功，是由于DS18B20没有呼应的信号。在烦躁之际只需试下将接DQ的IO别离拉低和拉高看能不能读入正确的信号。成果果然是读入数据不对，本来我将IO配成开漏输出后相当然的认为读数据是用GPIO_ReadOutputDataBit()，这正是问题所在，后来将读入的函数改为GPIO_ReadInputDataBit()就OK了。现在温度是实际出来了，但跟我家里那台德胜收音机上显现的温度相差2度，都不知道是哪个准了，改天再找个温度计验证下。

下面引证一段DS18B20的时序描绘，写的很详细:

DS18B20的操控流程

依据DS18B20的通讯协议，DS18B20只能作为从机，而单片机体系作为主机，单片机操控DS18B20完结一次温度转化有必要经过3个进程：复位、发送ROM指令、发送RAM指令。每次对DS18B20的操作都要进行以上三个进程。

复位进程为：单片机将数据线拉低至少480uS，然后开释数据线，等候15-60uS让DS18B20接纳信号，DS18B20接纳到信号后，会把数据线拉低60-240uS，主机检测到数据线被拉低后标识复位成功;

发送ROM指令：ROM指令表明主机对体系上所接的悉数DS18B20进行寻址，以确认对那一个DS18B20进行操作，或许是读取某个DS18B20的ROM序列号。

发送RAM指令：RAM指令用于单片机对DS18B20内部RAM进行操作，如读取寄存器的值，或许设置寄存器的值。

详细的RAM和RAM指令请查阅DS18B20的数据手册。下面简略介绍：

1、ROM操作指令：DS18B20选用一线通讯接口。由于一线通讯接口，有必要在先完结ROM设定，否则回忆和操控功用将无法运用。一旦总线检测到隶属器材的存在，它便能够宣布器材ROM操作指令，一切ROM操作指令均为8位长度，首要供给以下功用指令：

1 )读ROM(指令码0X33H)：当总线上只需一个节点(器材)时，读此节点的64位序列号。假如总线上存在多于一个的节点，则此指令不能运用。

2 )ROM匹配(指令码0X55H)：此指令后跟64位的ROM序列号，总线上只需与此序列号相同的DS18B20才会做出反响;该指令用于选中某个DS18B20，然后对该DS18B20进行读写操作。

3 )查找ROM(指令码0XF0H)：用于确认接在总线上DS18B20的个数和辨认一切的64位ROM序列号。当体系开端作业，总线主机或许不知道总线上的器材个数或许不知道其64位ROM序列号，查找指令用于辨认一切衔接于总线上的64位ROM序列号。

4 )越过ROM(指令码0XCCH)：此指令只适合于总线上只需一个节点;该指令经过答应总线主机不供给64位ROM序列号而直接拜访RAM，以节约操作时刻。

5 )报警查看(指令码0XECH)：此指令与查找ROM指令根本相同，不同在于只需温度超越设定的上限或许下限值的DS18B20才会作出呼应。只需DS18B20一上电，告警条件就保持在设置状况，直到另一次温度丈量显现出非告警值，或许改动TH或TL的设置使得丈量值再一次坐落答应的规模之内。储存在EEPROM内的触发器用于告警。

2、RAM指令

DS18B20有六条RAM指令：

1)温度转化(指令码0X44H):发动DS18B20进行温度转化，成果存入内部RAM。

2)读暂存器(指令码0XBEH)：读暂存器9个字节内容，此指令从RAM的第1个字节(字节0)开端读取，直到九个字节(字节8，CRC值)被读出停止。假如不需求读出一切字节的内容，那么主机能够在任何时候宣布复位信号以间断读操作。

3)写暂存器(指令码0X4EH)：将上下限温度报警值和装备数据写入到RAM的2、3、4字节，此指令后跟需求些入到这三个字节的数据。

4)仿制暂存器(指令码0X48H)：把暂存器的2、3、4字节仿制到EEPROM中，用以掉电保存。

5)从头调E2RAM(指令码0XB8H)：把EEROM中的温度上下限及装备字节康复到RAM的2、3、4字节，用以上电后康复曾经保存的报警值及装备字节。

6)读电源供电办法(指令码0XB4H)：发动DS18B20发送电源供电办法的信号给主CPU。关于在此指令送至DS18B20后所宣布的第一次读出数据的时刻片，器材都会给出其电源办法的信号。“0”表明寄生电源供电。“1”表明外部电源供电。

下面是结合实际测验总结出来的DS18B20的操作流程：

1、DS18B20的初始化

(1) 先将数据线置高电平“1”。

(2) 延时(该时刻要求的不是很严厉，可是尽或许的短一点)。

(3) 数据线拉到低电平“0”。

(4) 延时490微秒(该时刻的时刻规模能够从480到960微秒)。

(5) 数据线拉到高电平“1”。

(6)延时等候(假如初始化成功则在15到60毫秒时刻之内发生一个由DS18B20所回来的低电平“0”。据该状况能够来确认它的存在，可是应留意不能无限的进行等候，否则会使程序进入死循环，所以要进行超时操控)。

(7)若CPU读到了数据线上的低电平“0”后，还要做延时，其延时的时刻从宣布的高电平算起(第(5)步的时刻算起)最少要480微秒。

(8) 将数据线再次拉高到高电平“1”后完毕。

2、DS18B20的写操作

(1) 数据线先置低电平“0”。

(2) 延时确认的时刻为2(小于15)微秒。

(3) 按从低位到高位的次序发送字节(一次只发送一位)。

(4) 延时时刻为62(大于60)微秒。

(5) 将数据线拉到高电平，延时2(小于15)微秒。

(6) 重复上(1)到(6)的操作直到一切的字节悉数发送完停止。

(7) 最终将数据线拉高。

3、 DS18B20的读操作

(1)将数据线拉高“1”。

(2)延时2微秒。

(3)将数据线拉低“0”。

(4)延时2(小于15)微秒。

(5)将数据线拉高“1”，一起端口应为输入状况。

(6)延时4(小于15)微秒。

(7)读数据线的状况得到1个状况位，并进行数据处理。

(8)延时62(大于60)微秒。

顺便把程序也贴上来吧，给我们参阅下。

运用的办法：

只需调用一次 ds18b20_start() 来初始化DS18B20，然后每次读温度时直接调用 ds18b20_read()就能够了。如

ds18b20_start();

while(1)

{

for(i=1000000;i>0;i–);

val = ds18b20_read();

}

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// DS18B20.C By ligh

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#include STM32Lib\\stm32f10x.h

#include DS18B20.h

#define EnableINT()

#define DisableINT()

#define DS_PORT GPIOA

#define DS_DQIO GPIO_Pin_1

#define DS_RCC_PORT RCC_APB2Periph_GPIOA

#define DS_PRECISION 0x7f //精度装备寄存器 1f=9位; 3f=10位; 5f=11位; 7f=12位;

#define DS_AlarmTH 0x64

#define DS_AlarmTL 0x8a

#define DS_CONVERT_TICK 1000

#define ResetDQ() GPIO_ResetBits(DS_PORT,DS_DQIO)

#define SetDQ() GPIO_SetBits(DS_PORT,DS_DQIO)

#define GetDQ() GPIO_ReadInputDataBit(DS_PORT,DS_DQIO)

static unsigned char TempX_TAB[16]={0x00,0x01,0x01,0x02,0x03,0x03,0x04,0x04,0x05,0x06,0x06,0x07,0x08,0x08,0x09,0x09};

void Delay_us(u32 Nus)

{

SysTick->LOAD=Nus*9; //时刻加载

SysTick->CTRL|=0x01; //开端倒数

while(!(SysTick->CTRL(116))); //等候时刻抵达

SysTick->CTRL=0X00000000; //封闭计数器

SysTick->VAL=0X00000000; //清空计数器

}

unsigned char ResetDS18B20(void)

{

unsigned char resport;

SetDQ();

Delay_us(50);

ResetDQ();

Delay_us(500); //500us (该时刻的时刻规模能够从480到960微秒)

SetDQ();

Delay_us(40); //40us

//resport = GetDQ();

while(GetDQ());

Delay_us(500); //500us

SetDQ();

return resport;

}

void DS18B20WriteByte(unsigned char Dat)

{

unsigned char i;

for(i=8;i>0;i–)

{

ResetDQ(); //在15u内送数到数据线上，DS18B20在15-60u读数

Delay_us(5); //5us

if(Dat 0x01)

SetDQ();

else

ResetDQ();

Delay_us(65); //65us

SetDQ();

Delay_us(2); //接连两位间应大于1us

Dat >>= 1;

}

}

unsigned char DS18B20ReadByte(void)

{

unsigned char i,Dat;

SetDQ();

Delay_us(5);

for(i=8;i>0;i–)

{

Dat >>= 1;

ResetDQ(); //从读时序开端到采样信号线有必要在15u内，且采样尽量安排在15u的最终

Delay_us(5); //5us

SetDQ();

Delay_us(5); //5us

if(GetDQ())

Dat|=0x80;

else

Dat=0x7f;

Delay_us(65); //65us

SetDQ();

}

return Dat;

}

void ReadRom(unsigned char *Read_Addr)

{

unsigned char i;

DS18B20WriteByte(ReadROM);

for(i=8;i>0;i–)

{

*Read_Addr=DS18B20ReadByte();

Read_Addr++;

}

}

void DS18B20Init(unsigned char Precision,unsigned char AlarmTH,unsigned char AlarmTL)

{

DisableINT();

ResetDS18B20();

DS18B20WriteByte(SkipROM);

DS18B20WriteByte(WriteScratchpad);

DS18B20WriteByte(AlarmTL);

DS18B20WriteByte(AlarmTH);

DS18B20WriteByte(Precision);

ResetDS18B20();

DS18B20WriteByte(SkipROM);

DS18B20WriteByte(CopyScratchpad);

EnableINT();

while(!GetDQ()); //等候仿制完结 ///////////

}

void DS18B20StartConvert(void)

{

DisableINT();

ResetDS18B20();

DS18B20WriteByte(SkipROM);

DS18B20WriteByte(StartConvert);

EnableINT();

}

void DS18B20_Configuration(void)

{

GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;

RCC_APB2PeriphClockCmd(DS_RCC_PORT, ENABLE);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = DS_DQIO;

GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_OD; //开漏输出

GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; //2M时钟速度

GPIO_Init(DS_PORT, GPIO_InitStructure);

}

void ds18b20_start(void)

{

DS18B20_Configuration();

DS18B20Init(DS_PRECISION, DS_AlarmTH, DS_AlarmTL);

DS18B20StartConvert();

}

unsigned short ds18b20_read(void)

{

unsigned char TemperatureL,TemperatureH;

unsigned int Temperature;

DisableINT();

ResetDS18B20();

DS18B20WriteByte(SkipROM);

DS18B20WriteByte(ReadScratchpad);

TemperatureL=DS18B20ReadByte();

TemperatureH=DS18B20ReadByte();

ResetDS18B20();

EnableINT();

if(TemperatureH 0x80)

{

TemperatureH=(~TemperatureH) | 0x08;

TemperatureL=~TemperatureL+1;

if(TemperatureL==0)

TemperatureH+=1;

}

TemperatureH=(TemperatureH4)+((TemperatureL0xf0)>>4);

TemperatureL=TempX_TAB[TemperatureL0x0f];

//bit0-bit7为小数位，bit8-bit14为整数位，bit15为正负位

Temperature=TemperatureH;

Temperature=(Temperature8) | TemperatureL;

DS18B20StartConvert();

return Temperature;

}

//============================================

// DS18B20.H

//============================================

#ifndef __DS18B20_H

#define __DS18B20_H

#define SkipROM 0xCC //越过ROM

#define SearchROM 0xF0 //查找ROM

#define ReadROM 0x33 //读ROM

#define MatchROM 0x55 //匹配ROM

#define AlarmROM 0xEC //告警ROM

#define StartConvert 0x44 //开端温度转化，在温度转化期间总线上输出0，转化完毕后输出1

#define ReadScratchpad 0xBE //读暂存器的9个字节

#define WriteScratchpad 0x4E //写暂存器的温度告警TH和TL

#define CopyScratchpad 0x48 //将暂存器的温度告警仿制到EEPROM，在仿制期间总线上输出0，仿制完后输出1

#define RecallEEPROM 0xB8 //将EEPROM的温度告警仿制到暂存器中，仿制期间输出0，仿制完结后输出1

#define ReadPower 0xB4 //读电源的供电办法：0为寄生电源供电;1为外部电源供电

void ds18b20_start(void);

unsigned short ds18b20_read(void);

#endif