更好的挑选是运用专用的IC控制器来对电池电源和市电电源进行组合。比如LT4351（参考文献3）之类的器材，因为镇流器MOSFET晶体管的Rdson十分低，因而所发生的正向压降仅为数十毫伏（mV）。可是，与下面简略的分立式解决方案比较，这类专用IC一般很贵重，而且很难找到。
当我在规划需求长期运用的超低功耗便携式数据记录仪而想要进步其全体功率时，图1中的电路就至关重要。
图1：关于电源的线或使用，这种简化的分立式电路与二极管的办法比较可进步功率。
下面进行扼要阐明。假如存在主电源（Vin1），则N沟道MOSFET晶体管T3就会导通，从而会将P沟道MOSFET T2的栅极下拉而使T2导通。晶体管T1所看到的栅源电压（Vgs）是T2的漏源电压（Vds），该电压仅为数十mV。因而，T1封闭，外部电源通路（Vin2）处于开路状况。
现在，在间歇性Vin1断电的情况下，T3因为其栅极经过R1下拉而断开，而且T1导通。晶体管T2因为其栅极经过R2上拉而截止（T2的Vgs简直为零）。
MOSFET T1和T2应挑选低电平栅极类型并具有超低导通电阻特性（例如：T1 = T2 = PMN50XP［参考文献4］，其在Vgs =3.3V时Rdson为60mΩ）。晶体管T3能够选用盛行的2N7000（或表贴器材2N7002）。
存在主电源时，电路的静态电流约为20μA，不然近乎为零。因而，电池合适作为外部电源。
R1和R2的值并不重要。假如期望取得十分低的静态电流，则能够将它们选为数百kΩ；假如期望削减输入电源之间的换向时刻，则能够将它们选为数十kΩ。
Benabadji Mohammed Salim在阿尔及利亚奥兰科技大学攻读计算机科学硕士学位。
责任编辑：lq
