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光电二极管暗电流温度特性的丈量

本站为您提供的光电二极管暗电流温度特性的测量,光电二极管又称光敏二极管。制造一般光电二极管的材料几乎全部选用硅或锗的单晶材料。由于硅器件较锗器件暗电流、温度系数都小得多,加之制作硅器件采用的平面工艺使其管芯结构很容易精确控制,因此,硅光电二极管得到了广泛应用。

  光电二极管又称光敏二极管。制造一般光电二极管的资料简直悉数选用硅或锗的单晶资料。由于硅器材较锗器材暗电流、温度系数都小得多,加之制造硅器材选用的平面工艺使其管芯结构很简单准确操控,因而,硅光电二极管得到了广泛应用。

     光电二极管的结构及原理剖析

  光电二极管的结构和一般二极管类似,仅仅它的PN结装在管壳顶部,光线经过透镜制成的窗口,能够会集照耀在PN结上,图1(a)是其结构示意图。光敏二极管在电路中一般处于反向偏置状况,如图1(b)所示。

  光电二极管暗电流温度特性的丈量

  PN结加反向电压时,反向电流的巨细取决于P区和N区中少量载流子的浓度,无光照时P区中少量载流子(电子)和N区中的少量载流子(空穴)都很少,因而反向电流很小。可是当光照耀PN结时,只需光子能量hv大于资料的禁带宽度,就会在PN结及其邻近产生光生电子—空穴对,从而使P区和N区少量载流子浓度大大添加。这些载流子的数目,关于大都载流子影响不大,但对P区和N区的少量载流子来说,则会使少量载流子的浓度大大提高,在反向电压(P区接负,N区接正)效果下,反向饱满漏电流大大添加,构成光电流,该光电流随入射光照度的改动而相应改动。光电流经过负载RL时,在电阻两头将得到随人射光改动的电压信号假如入射光的照度改动,光生电子—空穴对的浓度将相应变化,经过外电路的光电流强度也会随之变化,光敏二极管就把光信号转化成了电信号。

  丈量光电二极管的暗电流

  丈量光电二极管的暗电流,必须在一个不透光的密闭容器中进行,所以作者挑选了热电致冷器材作为控温器材,它具有体积小、功率高级长处。要取得光电二极管暗电流的温度特性参数,必须在一个温度范围内每隔$t℃进行恒温操控来丈量暗电流。又由于光电二极管暗电流十分小,在10-13~10-12A量级,所以规划要害有两点:

  (1)恒温操控;

  (2)微电流丈量。

  本规划用热电致冷器材、温度探测器和一个反应扩大电路构成恒温操控系统,并规划了一个微电流计来准确丈量暗电流。

  光电二极管暗电流温度特性的丈量

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