光电二极管又称光敏二极管。制造一般光电二极管的资料简直悉数选用硅或锗的单晶资料。由于硅器材较锗器材暗电流、温度系数都小得多，加之制造硅器材选用的平面工艺使其管芯结构很简单准确操控，因而，硅光电二极管得到了广泛应用。
光电二极管的结构及原理剖析
光电二极管的结构和一般二极管类似，仅仅它的PN结装在管壳顶部，光线经过透镜制成的窗口，能够会集照耀在PN结上，图1（a）是其结构示意图。光敏二极管在电路中一般处于反向偏置状况，如图1（b）所示。
PN结加反向电压时，反向电流的巨细取决于P区和N区中少量载流子的浓度，无光照时P区中少量载流子（电子）和N区中的少量载流子（空穴）都很少，因而反向电流很小。可是当光照耀PN结时，只需光子能量hv大于资料的禁带宽度，就会在PN结及其邻近产生光生电子—空穴对，从而使P区和N区少量载流子浓度大大添加。这些载流子的数目，关于大都载流子影响不大，但对P区和N区的少量载流子来说，则会使少量载流子的浓度大大提高，在反向电压（P区接负，N区接正）效果下，反向饱满漏电流大大添加，构成光电流，该光电流随入射光照度的改动而相应改动。光电流经过负载RL时，在电阻两头将得到随人射光改动的电压信号假如入射光的照度改动，光生电子—空穴对的浓度将相应变化，经过外电路的光电流强度也会随之变化，光敏二极管就把光信号转化成了电信号。
丈量光电二极管的暗电流
丈量光电二极管的暗电流，必须在一个不透光的密闭容器中进行，所以作者挑选了热电致冷器材作为控温器材，它具有体积小、功率高级长处。要取得光电二极管暗电流的温度特性参数，必须在一个温度范围内每隔$t℃进行恒温操控来丈量暗电流。又由于光电二极管暗电流十分小，在10-13～10-12A量级，所以规划要害有两点：
（1）恒温操控;
（2）微电流丈量。
本规划用热电致冷器材、温度探测器和一个反应扩大电路构成恒温操控系统，并规划了一个微电流计来准确丈量暗电流。
