穿心电容是什么？
穿心电容外形如下图所示。穿心电容是一种三端电容，但与一般的三端电容比较，因为它直接安装在金属面板上， 因而它的接地电感更小，几乎没有引线电感的影响，别的，它的输入输出端被金属板阻隔，消除了高频耦合，这两个特色决议了穿心电容具有挨近抱负电容的滤波作用。 穿心电容的介质为陶瓷介质，而陶瓷电容的容量会随环境温度改动而改动，这种容量改动会影响滤波器的滤波截止率。陶瓷电容的容量温度改动率是由陶瓷介质自身决议的。因而，挑选恰当的陶瓷介质十分重要。滤波器所用的电容一般为陶瓷电容。因为其物理结构，这种陶瓷电容又称为穿心电容。
穿心电容自电感较一般电容小得多，故而自谐振频率很高。一起，穿心式规划，也有用地避免了高频信号从输入端直接耦合到输出端。这种低通高阻的组合，在 1GHz 频率范围内，供给了极好的按捺作用。
电容充放电电路的规划：
图（a）所示电路中，VF1是一次侧主MOSFET，来自PWM集成操控器的脉冲使其通／断作业。为使VF2的通／断时刻与VF1相反，增设双向延时电路S1。现假定VF1为截止状况，VF2为导通状况，吸收电容Cr充电到VF1的漏极－源极间电压，由此，也吸收加在VF1上的浪涌电压。在由延时电路确认的延时时刻后VF2截止，但这时，Cr两头电压等于加在VF1上的电压，因而，为零电压和零电流开关器材断开方法。
VF1截止后，二次侧二极管VD2的电流降为零，变压器无励磁能量。此刻一次主绕组N1感应的回扫电压变为零，以高于C1上电压进行充电的吸收电容C1对一次主绕组N1反向放电，这样，放电电流经VF2的寄生二极管（虚线所示）流转。Cr放电开始时，VF2有必要截止。因为Cr放电，电容Cr与一次主绕组的电感Lp发生谐振。
（a）原理电路；（b）有用电路
图 操控吸收电容充放电的电路图
若VF2为导通状况，谐振持续衰减振动，但VF2截止状况时，电容Cr两头电压为零时振动中止。若Cr中止谐振，则以VF1和VF2的输入较小容量电容持续发生较短周期的谐振。VF1再度导通时，轫小电容放电电流流经VF1自身而消耗掉。VF1导通时，其小容量电容充电的电压随导通时刻而改动，但Cr两头电压降到最低电压，因而，能够减小Cr发生的损耗。也就是说，即便选用较大容量的电容Cr损耗也不会增大。
图（a）所示为选用VF2寄生二极管使Cr放电方式的电路。一般的M0S－FET寄生二极管康复特性不适宜高频，因而，增设低耗二极管作为电容放电二极管，即图（b）中的二极管VD1。为使放电电流悉数流经二极管VD1，在VF2回路中增加了逆阻断二极管VD2．逆阻断二极管VD2的耐压大于VD1的正向压降即可，因而，选用肖特基二极管（SBD）。别的，双向延时元件宜选用可饱和电抗器，延时元件和YF2的输入电容一起决议延时时刻，需求较长延时时刻时，可在栅极增接电容。输出电流一减小，VF1的导通时刻就变短。这导通时刻若短于延时时刻，则VF1截止后，VF2导通，因而，VF1漏极－源极间电压UDS的波形违背正常波形，功耗也稍增大。为下降最小输出电流，延时时刻要十分短，这样，就不能充沛有用使用电容Cr。这儿，作为大致方针，最小输出电流设定为最大输出电流的2％～3％。
