您的位置 首页 报告

LTC4362低电压热插拔控制器参数介绍及中文PDF下载

LTC4362相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,LTC4362供应信息可在查IC网搜索

LTC4362相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,LTC4362供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

LTC®4362 单片式过压/过流维护操控器可维护 2.5V 至 5.5V 体系免遭输入电源过压的损坏。它专为具有多种电源选项 (包含墙上适配器、轿车电池适配器和 USB 端口) 的便携式设备而规划。

LTC4362 用于操控一个与输入电源串联的内部 40mΩ N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间,LTC4362 能在 1μs 的时刻之内关断 MOSFET,从而将下流的组件与输入电源阻隔开来。在大多数运用中,LTC4362 可安全地饱尝电理性电缆瞬变,而无需运用瞬态电压抑制器或其他外部组件。一个内部电流检测电阻器用于完成过流维护功用。

LTC4362 具有一种用于约束浪涌电流的推迟发动 (在插电时) 和受控型 dV/dt 斜坡上升功用。一个 PWRGD 引脚供给了针对 VIN 的电源杰出监督功用。LTC4362 具有一种受控于 ON 引脚的软停机功用,并驱动一个任选的外部 P 沟道 MOSFET 以供给负电压维护。在一个过压状况之后,LTC4362 将在一个 130ms 的推迟之后主动重新起动。在一个过流状况之后,LTC4362-1 坚持关断状况,而 LTC4362-2 将在一个 130ms 的推迟之后主动重新起动。 

运用

  • USB 维护
  • 手持式计算机
  • 蜂窝电话/智能手机
  • MP3 / MP4 播放器
  • 数码相机

优势和特色

  • 2.5V 至 5.5V 作业电压
  • 过压维护高达 28V
  • 内部 40mΩ N 沟道 MOSFET 和 31mΩ RSENSE
  • 关于大多数运用,雪崩额外 MOSFET 无需运用输入电容器或 TVS (瞬态电压抑制器)
  • <1μs 的过压关断时刻,逐渐逐渐地停机
  • 准确度为 2% 的 5.8V 过压门限
  • 准确度为 20% 的 1.5A 过流门限
  • 选用 ≧1μF COUT 时,输入可接受高达 ±25kV HBM ESD
  • 受控的上电 dV/dt 约束浪涌电流
  • 反向电压维护驱动器
  • 低电流停机形式
  • 在过流之后锁断 (LTC4362-1) 或主动重试 (LTC4362-2)
  • 选用 8 引脚 2mm x 3mm DFN 封装

LTC4362电路图

LTC4362

LTC4362中文PDF下载地址

LTC4362下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/LTC4362-1-4362-2.pdf

声明:本文内容来自网络转载或用户投稿,文章版权归原作者和原出处所有。文中观点,不代表本站立场。若有侵权请联系本站删除(kf@86ic.com)https://www.86ic.net/ceping/baogao/39811.html

为您推荐

联系我们

联系我们

在线咨询: QQ交谈

邮箱: kf@86ic.com

关注微信
微信扫一扫关注我们

微信扫一扫关注我们

返回顶部