G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法根本相同。
这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。
判别栅极G
MOS驱动器首要起波形整形和加强驱动的效果：假设MOS管的G信号波形不行峻峭，在点评切换阶段会形成许多电能损耗其副效果是下降电路转化功率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在必定电容，假设G信号驱动才能不行，将严峻影响波形跳变的时刻。
将G-S极短路，挑选万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，而且交流表笔后仍为无限大，则证明此脚为G极，由于它和别的两个管脚是绝缘的。
判别源极S、漏极D
将万用表拨至R×1k档别离测量三个管脚之间的电阻。用交流表笔法测两次电阻，其间电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此刻黑表笔的是S极，红表笔接D极。由于测验条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
关于MOS管
晶体管有N型channel一切它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
不管N型或许P型MOS管，其作业原理实质是相同的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来操控输出端漏极的电流。MOS管是压控器材它经过加在栅极上的电压操控器材的特性，不会发作像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关使用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
场效应管的姓名也来源于它的输入端（称为gate）经过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流十分小。最一般的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。
这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。由于MOS管更小更省电，所以他们已经在许多使用场合替代了双极型晶体管。
