1.概述：整合性内存自我测验电路发生环境-Brains
Brains是从全体的芯片规划切入，运用硬件架构同享的观念，能够大幅削减测验电路的门数 (Gate Count)，而且让运用者能容易发生优化的BIST电路。Brains能够主动的判读内存并将其分群 (Grouping)，从产品规划前端大幅进步测验良率、下降测验本钱，进步工业竞争力。Brains的五级到七级的弹性化管线式架构，能够满意快速内存测验的需求，现在最高测验的速度现已能够到达1.2GHz，全体BIST电路的门数均匀只需200个门数。别的为了简化嵌入内存测验电路的复杂度，Brains只需简略过程即可完结内存测验电路的规划与嵌入。Brains的先进功用能够大幅减缩DPPM与下降芯片测验本钱从而下降全体芯片本钱，添加产品的牢靠度以及添加产品的竞争力。
图1-1. 传统BIST示意图
图1-2. 传统Memory Testing解决方案
图1-3. 厚翼科技的BIST示意图
图1-4. 厚翼科技的解决方案
2. Brains架构
Brains是一个内存测验电路整合性开发环境，根本架构图如下：
图2-1. BRAINS履行架构图
Brains 输入档:
RTL Verilog : 包括memory models 的Top HDL design档案
Memory Modules : Memory models verilog档案
UDM Files : 用户自界说内存档案
Brains 输出檔:
RTL Verilog with BIST : 整入BIST电路的top HDL design档案
Synthesis Scripts : 组成相关scripts档案
RTL BIST Verilog : BIST 电路verilog档案
Fault Memory : 整入error bit之memory models
Test Bench : 供BIST 电路仿真用之Testbench
3. 功用描绘
BRAINS有下列功用：
n 支撑RTL和Gate-level格局
n 透过BFL (Brains Feature List)设定BRAINS的功用
n 主动进行内存判别
n 主动发生Testbench
n 主动嵌入 BIST到原规划
n 主动追寻 Cock Source
n 透过UDM (User Defined Memory) 档案支撑用户自行界说的内存
4. 实作流程
Brains实作援助Top-down Flow和Bottom-up Flow，以下针对Top-down Flow加以介绍。
Brains BFL Flow – Top-down Flow
本章节介绍怎么透过BFL档案，并调配Top-down 流程，来发生相对应之BIST电路。本章节提及之example case及相关文件，运用者若有需求，可与厚翼科技联络，进行讨取。
4.1 解压缩 Example Case
unix% tar xvfz multi_lab.tgz
unix% cd multi_lab/top_down_lab
4.2 树立 File-List 档案 (*.f file)
完好的File-List 档案可让Brains 的履行愈加顺畅，完好的File-List 档案包括design verilog 档案所运用的memory model 档案，相关的standard cell 和macro档案如下：
n Design.v (RTL or netlist)
n Memory.v
n Standard_cell.v (when your design is netlist)
n Parameter, e.g. +define+、+incdir+PATH/DIR …
图4-1为 run.f 档案之典范，用户可依照此格局来发生相对应的File-List 档案。
图4-1. run.f 档案典范
4.3 其它输入档案
n 假如运用者有特别grouping需求，则可供给相关输入档案。如：*.def档案或*.meminfo 档案。*.def档案可让Brains根据实践memory model 摆放方位来做grouping。*.meminfo 档案则可让Brains根据运用者想要的grouping架构来履行。
n Memory model library档案：此档案可让Brains根据其中所界说之power数值，来做为grouping的条件。
4.4 Memory Model 查看功用 (Optional)
Brains 可协助运用者辨认出design 中所包括的memory model。用户可运用memchecker 指令来查看所运用到的memory models。具体履行流程请参阅Brains quick start guide文件，附录A。
假如design中有memory model无法主动被Brains辨认出来时，运用者可自行编写 UDM 档案，该档案用来描绘memory models 相关脚位及读写行为。具体界说请参阅brains_udm_ug.pdf文件。
